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IXTH16N10D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 830W(Tc) 20V 225nC@ 5 V 1个N沟道 100V 64mΩ@ 8A,0V 16A 5.7nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTH16N10D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH16N10D2

IXTH16N10D2概述


    产品简介


    产品名称:IXTT16N10D2 / IXTH16N10D2
    产品类型:N-通道增强型MOSFET
    主要功能:
    - 源漏极二极管具备高功率密度
    - 可实现正向偏置安全操作区
    - 包含国际标准封装
    应用领域:
    - 音频放大器
    - 启动电路
    - 保护电路
    - 斜坡发生器
    - 电流调节器
    - 主动负载

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDSX | - | 100 | - | V |
    | VDGX | - | 100 | - | V |
    | VGS(off) | -2.0 | -4.5 | - | V |
    | IGSX | ±100 ±100 | nA |
    | IDSX(off) | 5 | 250 | - | µA |
    | RDS(on) | 64 64 | mΩ |
    | gfs | 7 | 11 S |
    | Ciss | 5700 pF |
    | Coss | - | 1980 pF |
    | Crss | - | 940 pF |
    | td(on) | 45 ns |
    | tr | 43 ns |
    | td(off) | 340 ns |
    | tf | 70 ns |
    | Qg(on) | 225 nC |
    | Qgs | 22 nC |
    | Qgd | 126 nC |
    | RthJC | 0.18 °C/W|

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 源漏极二极管具有较高的阈值电压和击穿电压
    - 极低的导通电阻,适用于需要高效率的应用场景
    - 高速开关特性,适合于高频电路设计
    - 简易安装,占用空间小,适用于紧凑设计
    产品优势:
    - 具备正向偏置安全操作区,适合恶劣的工作环境
    - 国际标准封装,易于集成到现有系统
    - 高功率密度,适用于高功率需求的应用场合

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在音频放大器中,可以作为高效的功率放大组件
    - 在启动电路中,提供快速可靠的电源切换
    - 在斜坡发生器中,可以实现稳定的电流调节
    使用建议:
    - 为确保高效运行,需正确选择合适的栅极驱动电压
    - 在高温环境下工作时,需注意散热,避免因温度过高导致损坏
    - 在多模块并联使用时,需合理分配电流以防止过载

    兼容性和支持


    兼容性:
    - IXTT16N10D2 和 IXTH16N10D2 支持主流的标准封装,可方便地集成到各种电路设计中
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,以确保用户能够正确使用该产品

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 导通电阻异常升高:可能由于焊接不充分或热阻抗过高引起
    - 解决方案:重新检查焊接质量,确保热界面材料良好接触
    2. 栅极击穿:可能由于栅极电压超过额定值引起
    - 解决方案:增加外部栅极电阻,确保不超过最大允许栅极电压
    3. 开关时间不稳定:可能由于电源电压波动或负载变化引起
    - 解决方案:稳定电源电压,并考虑使用缓冲电路以减缓负载变化的影响

    总结和推荐


    综合评估:
    IXTT16N10D2 和 IXTH16N10D2 是高性能的N-通道增强型MOSFET,具备低导通电阻、高速开关能力和良好的可靠性。这些特性使其非常适合用于音频放大器、启动电路及其它需要高效率和高可靠性的应用场景。
    推荐使用:
    强烈推荐IXTT16N10D2 和 IXTH16N10D2 用于对效率要求较高且需要可靠运行的场合。其独特的功能和优势使其在市场上具备较强的竞争优势。

IXTH16N10D2参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.7nF@25V
Id-连续漏极电流 16A
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 830W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 225nC@ 5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 64mΩ@ 8A,0V
配置 独立式
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.46mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH16N10D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH16N10D2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH16N10D2 IXTH16N10D2数据手册

IXTH16N10D2封装设计

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