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IXFE180N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 500W(Tc) 20V 4V@8mA 360nC@ 10 V 1个N沟道 100V 8mΩ@ 90A,10V 176A 9.1nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.65mm
供应商型号: LDL-IXFE180N10
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFE180N10

IXFE180N10概述

    # 高性能功率MOSFET产品技术手册解析

    产品简介


    产品类型
    IXYS公司的IXFE 180N10是一款高性能单片式功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用HDMOS™工艺制造,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力的特点。
    主要功能
    IXFE 180N10作为一款增强型N沟道功率MOSFET,主要用于开关电路中的高效电能转换和管理。它具有快速开关特性、低损耗、高效率等显著优势,特别适用于直流到直流转换器、同步整流器、电池充电器以及各种功率变换装置。
    应用领域
    该产品广泛应用于以下领域:
    - DC-DC转换器
    - 同步整流电路
    - 电池管理系统
    - 开关模式和共振模式电源供应
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制设备
    - 低压继电器驱动

    技术参数


    以下是根据技术手册中提供的关键指标整理的技术规格表:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(击穿电压)| 100 V
    | VGS(th)(阈值电压)| 2 V | 4 V
    | RDS(on)(导通电阻) 8 mΩ
    | ID(连续漏极电流) 176 A
    | IDM(浪涌电流) 720 A
    | PD(最大功耗) 500 W
    | trr(反向恢复时间) 250 ns

    产品特点和优势


    IXFE 180N10具有以下特点及优势:
    - 符合SOT-227B封装标准,便于安装;
    - 使用的封装材料通过UL 94 V-0认证,防火性能优越;
    - 极低的导通电阻,适合高频和高效率的应用场景;
    - 坚固耐用的多晶硅栅极单元结构;
    - 支持无钳位电感切换(UIS),确保稳定运行;
    - 小巧紧凑的设计节省空间,提高功率密度。

    应用案例和使用建议


    在实际应用中,IXFE 180N10可以用于构建高效的DC-DC转换器,以实现电压调节和稳压功能。对于需要频繁开关操作的应用,如开关模式电源供应器,该器件能够提供优异的动态性能和较长的使用寿命。
    建议用户在设计时考虑以下几点:
    - 确保电路布局合理,减少寄生效应;
    - 注意散热管理,避免过热损坏;
    - 配置适当的栅极驱动电路来优化开关速度。

    兼容性和支持


    此型号与其他IXYS系列的产品高度兼容,方便集成至现有的系统架构内。此外,IXYS公司为客户提供全面的技术支持服务,包括产品咨询、应用指导和技术培训等。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何判断IXFE 180N10是否正常工作?
    解决方案:检查其工作电压是否处于额定范围内,并观察是否有异常发热现象。如果发现问题,请参照手册中的故障排查指南。
    问题二:在高频率下使用时如何改善性能?
    解决方案:增加栅极电阻值可以减缓开关速度,从而降低电磁干扰(EMI)水平。同时,确保良好的PCB设计有助于提升整体性能。

    总结和推荐


    综上所述,IXFE 180N10凭借其卓越的技术指标和广泛的应用范围,在众多功率管理解决方案中占据重要地位。它不仅提供了出色的电气性能,而且易于集成到复杂系统之中。因此,我们强烈推荐这款产品给那些寻求高性能功率器件的专业人士。

IXFE180N10参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
最大功率耗散 500W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 90A,10V
栅极电荷 360nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 176A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.1nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.65mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFE180N10厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFE180N10数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFE180N10 IXFE180N10数据手册

IXFE180N10封装设计

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