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IXTA3N100D2HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 125W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 37.5nC@ 5 V 1个N沟道 1KV 6Ω@ 1.5A,0V 3A 1.02nF@25V TO-263HV 贴片安装
供应商型号: 747-IXTA3N100D2HV
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA3N100D2HV

IXTA3N100D2HV概述

    电子元器件技术手册:IXTA3N100D2HV 高压功率MOSFET

    产品简介


    IXTA3N100D2HV 是一款由IXYS公司生产的高压N沟道耗尽型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET 主要应用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜率发生器、电流调节器和活动负载等领域。其基本结构包括门极(G)、漏极(D)和源极(S),其中漏极通过引脚(Tab)引出。

    技术参数


    - 额定电压:VDSX = 1000 V
    - 最大漏极电流:ID(on) > 3 A
    - 导通电阻:RDS(on) ≤ 6 Ω
    - 工作温度范围:TJ -55°C 至 +150°C
    - 最大功率耗散:PD = 125 W
    - 安全工作区:特定条件下最大功率为75W
    - 栅极电容:Ciss = 1020 pF
    - 输入电导:gfs = 1.2 S @ VDS = 30V, ID = 1.5A
    - 开关时间:上升时间 tr ≤ 67 ns, 下降时间 tf ≤ 40 ns

    产品特点和优势


    - 高阻断电压:最高阻断电压达到1000V,适合于高压应用。
    - 易安装:TO-263HV封装使其易于安装和使用。
    - 节省空间:高效的设计可以减少整体布局所需的面积。
    - 高功率密度:能够在紧凑的空间内实现较高的输出功率。

    应用案例和使用建议


    IXTA3N100D2HV广泛用于音频放大器,提供稳定的电流输出;同时适用于启动电路,确保系统的可靠启动。在电流调节器应用中,可以通过调整栅极电压来精确控制输出电流。建议在设计时充分考虑热管理,以避免过热导致的性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    该器件采用TO-263HV封装,易于与其他标准组件进行配合。IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够快速掌握并应用这款MOSFET。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过热
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的空气流通,防止长时间工作引起过热。

    2. 问题:导通电阻变大
    - 解决方案:检查栅极电压是否达到导通要求,必要时调整驱动电路的电压水平。

    3. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:降低驱动电阻,提高驱动信号的陡峭度。

    总结和推荐


    总体来看,IXTA3N100D2HV凭借其出色的耐压能力和高效的功率处理能力,在多种高压应用中表现出色。其优良的易安装性、高功率密度等特点,使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高压、高功率的应用场合中使用此产品。

IXTA3N100D2HV参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.02nF@25V
栅极电荷 37.5nC@ 5 V
最大功率耗散 125W(Tc)
Id-连续漏极电流 3A
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 1.5A,0V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263HV
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA3N100D2HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA3N100D2HV数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA3N100D2HV IXTA3N100D2HV数据手册

IXTA3N100D2HV封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 8.257 ¥ 69.7716
50+ $ 4.7844 ¥ 40.4282
100+ $ 4.2228 ¥ 35.6827
250+ $ 3.7044 ¥ 31.3022
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