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IXTH62N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 X2-Class系列, Vds=650 V, 62 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: ZT-IXTH62N65X2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH62N65X2

IXTH62N65X2概述

    X2-Class Power MOSFET IXTH62N65X2 技术手册综述

    产品简介


    IXTH62N65X2 是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET,专为多种高要求应用设计。其额定电压为650V,最大连续漏极电流可达62A(25°C时),并具备低导通电阻(RDS(on) ≤ 50mΩ)。该器件适用于开关模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动等领域。此外,它也广泛应用于机器人和伺服控制等高可靠性需求的应用中。

    技术参数


    以下是IXTH62N65X2的主要技术参数:
    - 额定电压:VDSS = 650V(TJ = 25°C至150°C)
    - 漏极连续电流:ID25 = 62A(25°C)
    - 漏极脉冲电流:IDM = 124A(25°C)
    - 最大结温:TJ = -55 ... +150°C
    - 最大耗散功率:PD = 780W(25°C)
    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 50mΩ(VGS = 10V,ID = 0.5 • ID25)
    - 低栅极输入电阻:RGi = 0.9Ω
    - 栅极电荷:Qg(on) = 100nC
    - 有效输出电容:Ciss = 5800pF,Coss = 4260pF,Crss = 2.3pF

    产品特点和优势


    1. 国际标准封装:采用TO-247封装,便于集成到各种电路板设计中。
    2. 低导通电阻:RDS(on) ≤ 50mΩ,有助于减少功率损耗,提高效率。
    3. 低封装电感:适合高频应用,降低开关损耗。
    4. 高功率密度:紧凑的设计提供了更高的功率处理能力。
    5. 易于安装:安装简便,节省时间和成本。

    应用案例和使用建议


    IXTH62N65X2 在以下应用中表现出色:
    - 开关模式电源:例如,用于计算机电源适配器,提供高效的能量转换。
    - 直流-直流转换器:在工业自动化中用于提高系统效率。
    - 电机驱动:如电动工具、机器人等,确保平稳且高效的运行。
    使用建议:
    - 散热管理:由于高功率密度,需注意散热,使用合适的散热片或冷却系统。
    - 适当栅极驱动:选择合适的栅极电阻(如2Ω)以优化开关时间,减少损耗。

    兼容性和支持


    IXTH62N65X2 可与大多数主流的开关模式电源和电机控制系统兼容。厂商提供详尽的技术支持文档,包括应用笔记和测试报告,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 导通电阻过高:检查工作温度是否超出规定范围,确认连接和驱动信号正确无误。
    2. 过热问题:检查散热措施是否到位,确保使用适当的散热材料。
    3. 开关损耗大:考虑优化栅极驱动电阻值,减小开关时间。

    总结和推荐


    总体而言,IXTH62N65X2 是一款出色的功率MOSFET,具有优异的性能和多种应用场景。它的低导通电阻、高功率密度和易于安装的特点使其在市场上具有显著的竞争优势。推荐在高要求的电力电子应用中使用此产品,尤其是需要高效、稳定和可靠的解决方案时。

IXTH62N65X2参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 780W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.94nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 31A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 -
配置 -
Id-连续漏极电流 62A
栅极电荷 104nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
长*宽*高 16.13mm(长度)*5.21mm(高度)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH62N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH62N65X2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH62N65X2 IXTH62N65X2数据手册

IXTH62N65X2封装设计

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