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IXFX34N80

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 560W(Tc) 20V 5V@8mA 270nC@ 10 V 1个N沟道 800V 240mΩ@ 17A,10V 34A 7.5nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: ZT-IXFX34N80
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX34N80

IXFX34N80概述

    高性能Power MOSFET IXFK 34N80 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET)
    主要功能:提供极低的导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDSS),适用于各种高效率电力转换应用。
    应用领域:直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、交流电机控制、温度和照明控制等。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 击穿电压(VDSS):800 V(在25°C到150°C)
    - 栅源电压(VGS):连续 -20 V;瞬态 -30 V
    - 漏极电流(ID25):34 A(在25°C)
    - 最大漏极电流(IDM):136 A(在25°C,脉冲宽度受限于TJM)
    - 漏源二极管反向恢复时间(tRR):250 ns
    - 最大热阻抗(RthJC):0.22 K/W
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 到 +150°C
    - 储存温度范围(Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 典型特性
    - 输入电容(Ciss):7500 pF
    - 输出电容(Coss):920 pF
    - 反馈电容(Crss):220 pF
    - 开关时间(td(on)):45 ns
    - 关断时间(td(off)):100 ns(外部栅极电阻1Ω时)
    - 门极电荷(Qg(on)):270 nC
    - 门极-源极电荷(Qgs):60 nC
    - 门极-漏极电荷(Qgd):140 nC
    - 热阻抗(RthJC):0.22 K/W
    - 热阻抗(RthCK):0.15 K/W

    3. 产品特点和优势


    - 国际标准封装:符合通用标准,易于集成。
    - 低导通电阻:采用HDMOS工艺,保证了低RDS(on),提高能效。
    - 坚固的多晶硅栅极结构:增强了可靠性和耐久性。
    - 无钳位感应开关(UIS)评级:确保产品在高冲击条件下仍能正常工作。
    - 低封装电感:便于驱动和保护。
    - 快速内置整流器:减少了开关损耗,提高了系统整体效率。
    - PLUS 247TM 封装:适合夹持或弹簧安装,节省空间,具有高功率密度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:IXFK 34N80 广泛应用于直流-直流转换器、电池充电器等设备中,由于其低RDS(on) 和 UIS 评级,可以有效降低能量损耗,提高系统可靠性。
    - 使用建议:为避免过压,应使用适当的外部栅极电阻,如1Ω。在高温环境下,注意散热措施,确保在规定的TJ范围内运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IXFK 34N80 支持标准封装,易于与其他电子元器件配合使用,如直流-直流转换器、电池充电器等。
    - 支持:厂商提供了详尽的技术手册和测试条件,用户可以通过联系官方获取技术支持和维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温下运行时温度过高。
    - 解决方案:检查散热设计,确保在规定的工作温度范围内运行,必要时增加外部冷却措施。
    - 问题2:设备启动时出现异常现象。
    - 解决方案:检查外部栅极电阻值,确保在适当的范围内。查看技术手册确认正确的操作流程。
    - 问题3:设备在高电压冲击下损坏。
    - 解决方案:确保按照手册规定设置并使用适当的保护措施,例如限流电阻和钳位电路。

    7. 总结和推荐


    IXFK 34N80 是一款高性能的Power MOSFET,以其低RDS(on) 和快速响应时间显著提升了系统效率和可靠性。无论是直流-直流转换器还是电池充电器等应用场合,IXFK 34N80 都能够表现出色。综上所述,强烈推荐在需要高效率和高可靠性的应用中选用IXFK 34N80。

IXFX34N80参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.5nF@25V
最大功率耗散 560W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 270nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 17A,10V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 34A
Vds-漏源极击穿电压 800V
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFX34N80厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX34N80数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX34N80 IXFX34N80数据手册

IXFX34N80封装设计

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