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IXFT40N30Q TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 4V@4mA 140nC@ 10 V 1个N沟道 300V 85mΩ@ 20A,10V 3.56nF@25V TO-268HV 贴片安装
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IXYS 场效应管(MOSFET) IXFT40N30Q TR

IXFT40N30Q TR概述

    高质量文章:IXFY40N30Q 和 IXFT40N30Q 功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFY40N30Q 和 IXFT40N30Q 是 IXYS 公司生产的高密度增强模式 N 沟道 MOSFET,属于 HiPerFETTM 系列。这些器件适用于多种电力应用,包括直流到直流转换器、电池充电器、开关电源和温度控制。它们具有卓越的电气特性和可靠的工作特性,使其成为工业、汽车和消费电子领域的理想选择。

    技术参数


    以下为 IXFY40N30Q 和 IXFT40N30Q 的关键技术参数:
    - 电压等级:漏源击穿电压 (VDSS) 为 300V。
    - 电流能力:连续漏极电流 (ID25) 为 40A,脉冲峰值电流 (IDM) 达到 160A。
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值为 85mΩ(在 VGS = 10V 条件下)。
    - 开关特性:输入电容 (Ciss) 为 3560pF,输出电容 (Coss) 为 640pF,反向传输电容 (Crss) 为 170pF。
    - 驱动特性:栅极电荷 (Qg) 在 92 至 140nC 之间,栅极至源极电荷 (Qgs) 为 22 至 35nC,栅极至漏极电荷 (Qgd) 为 38 至 70nC。
    - 热特性:结至壳体热阻 (RthJC) 为 0.42°C/W,结至散热片热阻 (RthCS) 为 0.25°C/W。
    - 工作环境:工作温度范围 (-55°C 到 +150°C),存储温度范围 (-55°C 到 +150°C),焊接温度为 300°C(焊点离引脚 1.6mm 处,持续 10 秒)。

    产品特点和优势


    - 高功率密度:使得设备能够在有限的空间内实现更高的性能。
    - 易于安装:标准封装设计简化了装配过程。
    - 节省空间:紧凑的设计有助于减小电路板的尺寸。
    - 低寄生参数:低内部栅极电阻和低封装电感提高了效率和可靠性。
    - 快速内在二极管:内置二极管能够迅速关断,提高了整体性能。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于直流到直流转换器、电池充电器和各种开关电源中。为了确保最佳性能,在使用过程中建议遵循以下几点:
    - 合适的冷却系统:确保散热器或冷却系统的正确安装和良好工作状态,以避免过热。
    - 匹配的驱动电路:选择合适的驱动电路以匹配栅极电荷 (Qg),确保开关时间满足要求。
    - 避免长期过载:长时间处于超过额定电流的状态可能会影响器件寿命,因此需根据应用需求选择适当的电流限制。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFY40N30Q 和 IXFT40N30Q 支持多种电路板布局和应用,确保与现有系统的无缝集成。
    - 支持和服务:IXYS 提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户更好地理解和应用这些器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何优化 MOSFET 的热管理?
    - 解决方案:通过增加散热器的面积、改善散热路径和采用高效的冷却方法来降低结温。

    - 问题二:如何确保栅极驱动电路的有效性?
    - 解决方案:使用低阻抗驱动器和足够的栅极电阻以减少栅极振铃和误触发。
    - 问题三:在高温环境下 MOSFET 性能如何保持?
    - 解决方案:采用高热稳定性的材料并适当增加散热措施,确保在高温条件下性能稳定。

    总结和推荐


    综上所述,IXFY40N30Q 和 IXFT40N30Q 是高性能的功率 MOSFET,具备高功率密度、易于安装和低寄生参数等优点。它们在多种电力应用中表现出色,尤其适合需要高效、可靠的电力转换系统。我们强烈推荐使用这些 MOSFET,尤其是对那些对性能和可靠性有较高要求的应用领域。

IXFT40N30Q TR参数

参数
最大功率耗散 300W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 300V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
栅极电荷 140nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 20A,10V
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.56nF@25V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-268HV
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IXFT40N30Q TR厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFT40N30Q TR数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFT40N30Q TR IXFT40N30Q TR数据手册

IXFT40N30Q TR封装设计

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