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IXFJ80N25X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 104W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 83nC@ 10 V 1个N沟道 250V 18mΩ@ 40A,10V 44A 5.43nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFJ80N25X3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFJ80N25X3

IXFJ80N25X3概述

    IXFJ80N25X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated MOSFET

    1. 产品简介


    IXFJ80N25X3是一款N沟道增强模式的MOSFET,具有雪崩击穿特性。该产品适用于多种高功率密度的应用场合,包括开关电源、直流-直流转换器、激光驱动器、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 250 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \):
    - 连续: ±20 V
    - 瞬态: ±30 V
    - 漏极电流 \( ID \):
    - 25°C时连续: 44 A
    - 25°C时脉冲: 220 A
    - 能量耗散 \( PD \): 104 W(25°C)
    - 最大结温 \( T{J} \): -55°C 到 +150°C
    - 最高引线焊接温度 \( TL \): 300°C
    - 表面贴装塑料体耐热温度 \( T{SOLD} \): 260°C (10秒)
    - 机械安装扭矩 \( FC \): 1.13 Nm/lb.in
    - 电气特性
    - 雪崩能量 \( E{AS} \): 1.2 J
    - dv/dt(限流条件下): 50 V/ns
    - 隔离电压 \( V{ISOL} \): 2500 V~
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \): 2.5 V 至 4.5 V(@ 1.5 mA)
    - 开启电压 \( V{GS(th)} \): 2.5 V 至 4.5 V(@ 1.5 mA)
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \): 18 mΩ(@ 10 V, 40 A)
    - 动态参数
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 890 pF
    - 有效输出电容 \( C{O} \): 320 pF
    - 反馈电容 \( C{RSS} \): 1.6 pF
    - 栅极电荷 \( QG \): 83 nC
    - 门输入电阻 \( R{Gi} \): 1.6 Ω
    - 输入电导 \( G{FS} \): 38 至 64 S
    - 开关时间:
    - \( t{d(on)} \): 30 ns
    - \( tr \): 17 ns
    - \( t{d(off)} \): 65 ns
    - \( tf \): 8 ns

    3. 产品特点和优势


    - 硅芯片直接铜键合(DCB)基板
    - 隔离安装表面
    - 2500V~电气隔离
    - 低导通电阻和栅极电荷
    - 低封装电感
    优势
    - 高功率密度
    - 易于安装
    - 节省空间

    4. 应用案例和使用建议


    IXFJ80N25X3适用于多种应用场合,如开关电源、直流-直流转换器、激光驱动器、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制系统。例如,在开关电源中,它能够提供高效的能量转换,特别是在需要高功率密度的应用中。对于使用该MOSFET的设计,建议进行充分的热管理以确保安全操作区域内的稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    IXFJ80N25X3采用TO-247封装,具备良好的兼容性,可轻松集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术支持热线,以帮助用户解决任何可能遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开启电压(\( V{GS(th)} \))超出范围。
    - 解决方案: 重新检查门极驱动电路,确保电压在规定范围内。

    - 问题: 热管理不足导致过热。
    - 解决方案: 加强散热设计,例如增加散热片或使用风扇强制冷却。
    - 问题: 导通电阻 \( R{DS(on)} \) 过高。
    - 解决方案: 确认驱动电压达到10V,若仍过高考虑更换为其他型号。

    7. 总结和推荐


    IXFJ80N25X3是一款高性能的N沟道增强模式MOSFET,具备出色的电气特性和紧凑的设计。其高功率密度、易于安装和空间节约的优势使其成为开关电源、直流-直流转换器和其他高功率应用的理想选择。强烈推荐使用此产品以满足这些领域的严格要求。

IXFJ80N25X3参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 40A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 250V
栅极电荷 83nC@ 10 V
最大功率耗散 104W(Tc)
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.43nF@25V
Id-连续漏极电流 44A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFJ80N25X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFJ80N25X3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFJ80N25X3 IXFJ80N25X3数据手册

IXFJ80N25X3封装设计

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