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IXTP20N65XM

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 63W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 650V 210mΩ@ 10A,10V 9A 1.39nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: IXTP20N65XM
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP20N65XM

IXTP20N65XM概述


    产品简介


    IXTP20N65XM 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件主要应用于开关电源、谐振电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动系统以及机器人和伺服控制等领域。该MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG),并且采用了低封装电感设计,使其在高频率下依然能够保持良好的性能表现。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDSS): 650V
    - 漏极电流 (ID25): 9A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 40A
    - 栅源电压 (VGSS): ±30V(连续),±40V(瞬时)
    - 极限转矩 (Md): 1.13 Nm/lb.in
    - 工作温度范围 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 储存温度范围 (Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 最高引线焊接温度 (TL): 300°C
    - 塑料外壳承受温度 (TSOLD): 260°C(持续10秒)
    - 驱动损耗相关的最大输出电容 (Eoss): 16 μJ
    - 开关时间 (td(on)): 18ns
    - 上升时间 (tr): 30ns
    - 下降时间 (tf): 22ns
    - 栅极输入电阻 (RGi): 3.4Ω
    - 输入电容 (Ciss): 1390pF
    - 输出电容 (Coss): 1060pF
    - 反馈电容 (Crss): 22pF

    产品特点和优势


    IXTP20N65XM MOSFET具备以下显著特点和优势:
    - 国际标准封装:采用TO-220封装,易于安装和使用。
    - 低导通电阻和栅极电荷:导通电阻低至210mΩ,使得在高电流条件下仍能保持低损耗。
    - 低封装电感:减少了寄生电感的影响,提高了系统的整体效率。
    - 高功率密度:适合紧凑型设计和高功率应用。
    - 空间节约:紧凑的设计节省了电路板的空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:IXTP20N65XM 可以有效地提高开关电源的效率,减少发热。
    - 直流-直流转换器:在高频应用中表现出色,提供了高效的能量转换。
    - 机器人和伺服控制:低功耗和快速响应时间使它成为理想的驱动器选择。
    使用建议:
    - 在应用时需要考虑散热管理,特别是在高电流环境下。
    - 确保正确的栅极驱动信号以避免过高的瞬态电压导致器件损坏。
    - 适当增加外部栅极电阻以减缓开关速度,从而减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    IXTP20N65XM 与其他常见的TO-220封装的MOSFET产品兼容。IXYS公司提供详尽的技术支持和维护服务,确保客户可以充分利用这款产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高功率应用中发热严重,影响稳定性。
    - 解决方案: 使用高效散热片或水冷系统来降低工作温度。

    - 问题: 由于快速开关引起的电磁干扰。
    - 解决方案: 添加外部栅极电阻以减缓开关速度,或者使用EMI滤波器。
    - 问题: 高温下性能下降。
    - 解决方案: 在设计时考虑使用适当的散热装置,或者选用更高温等级的产品版本。

    总结和推荐


    总体而言,IXTP20N65XM 是一款出色的N沟道增强型功率MOSFET,适用于各种高功率和高频应用。它具有低导通电阻、低栅极电荷、高功率密度等特点,能够有效提高系统效率并简化设计。此外,IXYS公司的强大技术支持也为其加分不少。综上所述,我强烈推荐这款产品给对性能和可靠性有较高要求的应用场合。

IXTP20N65XM参数

参数
Id-连续漏极电流 9A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 63W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 210mΩ@ 10A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 35nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.39nF@25V
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP20N65XM厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP20N65XM数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP20N65XM IXTP20N65XM数据手册

IXTP20N65XM封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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2000+ ¥ 51.0603
3000+ ¥ 50.1403
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