处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFK180N10

IXFK180N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 560W(Tc) 20V 4V@8mA 390nC@ 10 V 1个N沟道 100V 8mΩ@ 90A,10V 180A 10.9nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: 747-IXFK180N10
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK180N10

IXFK180N10概述

    # IXFK180N10/IXFX180N10 HiperFET™ Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXFK180N10 和 IXFX180N10 是由 IXYS 公司设计和生产的高性能 N 沟道增强型 HiperFET™ 功率 MOSFET,具有强大的电流处理能力和快速的开关特性。这些器件采用先进的 HDMOSTM 工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),适合高功率密度的应用场景。
    主要功能
    - 支持高电压和大电流操作(最高 100V 和 180A)。
    - 具备抗雪崩能力,适用于严苛的工作环境。
    - 快速体二极管,适合高频应用。
    - 小巧的封装设计,易于安装和节省空间。
    应用领域
    - 直流-直流转换器。
    - 电池充电器。
    - 开关模式和共振模式电源。
    - 直流斩波器。
    - 交流电机驱动。
    - 温度和照明控制。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 最高漏源电压 (VDSS) 100 V |
    | 最高栅源电压 (VGS) | ±20 ±30 | V |
    | 漏极连续电流 (ID) 180 A |
    | 脉冲电流 (IM) 720 | A |
    | 导通电阻 (RDS(on)) 8 mΩ |
    | 体二极管最大正向电流 (IS) 180 | A |
    | 栅极输入电容 (Ciss) | 10.90 nF |
    | 关断时间 (td(off)) 140 ns |
    | 散热电阻 (RthJC) | 0.22 °C/W |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 高电流处理能力:支持高达 180A 的连续电流,适合高负载应用。
    - 快速开关特性:低导通电阻和快速开关特性显著减少功耗。
    - 高可靠性:具备抗雪崩能力和快速恢复二极管,适合恶劣环境。
    - 低栅极电荷:降低驱动损耗,提高效率。
    市场竞争力
    - 高功率密度:紧凑的封装设计实现了更高的空间利用率。
    - 易于安装:标准化的 TO-264 和 PLUS247 封装,便于集成。
    - 高效率:低导通电阻和快速开关特性显著降低了功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 直流-直流转换器:用于高效能量转换,例如太阳能逆变器和电动汽车充电桩。
    2. 电池充电器:提供稳定且高效的充电解决方案,满足不同电池类型的充电需求。
    3. 交流电机驱动:实现高效的电机控制和运行,适合工业自动化领域。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的散热设计以防止过热,特别是在高功率运行时。
    - 驱动电路优化:使用合适的驱动电路以减少开关损耗。
    - 并联使用:对于更高电流需求的应用,可以并联多个器件以分担负载。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与主流 PCB 设计工具完全兼容。
    - 支持标准 TO-264 和 PLUS247 封装,方便与现有系统集成。
    支持和维护
    - 提供全面的技术文档和支持服务。
    - 专业团队提供定制化解决方案和技术指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 优化驱动电路,降低栅极电荷损耗 |
    | 过热保护失效 | 改善散热设计,增加散热片或风扇 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查安装是否正确,确保良好接触 |

    总结和推荐


    综合评估
    IXFK180N10 和 IXFX180N10 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,具有出色的电流处理能力和低导通电阻,广泛适用于多种高功率应用场景。其易于安装和高效率的特点使其在市场上具有很强的竞争力。
    推荐结论
    我们强烈推荐这些产品用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。无论是新能源汽车、工业自动化还是消费电子产品,这些器件都能提供卓越的性能表现。
    IXYS 公司的创新技术使这些器件成为未来高功率应用的理想选择。

IXFK180N10参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.9nF@25V
Id-连续漏极电流 180A
栅极电荷 390nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 90A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 560W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFK180N10厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK180N10数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK180N10 IXFK180N10数据手册

IXFK180N10封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 25.76 ¥ 217.672
库存: 8
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 217.67
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336