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IXFT12N100F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 5.5V@4mA 77nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 1.05Ω@ 6A,10V 12A 2.7nF@25V TO-268 贴片安装 16.05mm*14mm*5.1mm
供应商型号: ZT-IXFT12N100F
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFT12N100F

IXFT12N100F概述

    # HiPerRFTM Power MOSFETs:IXFH12N50F 和 IXFT12N50F

    产品简介


    产品类型与主要功能
    IXFH12N50F 和 IXFT12N50F 是由 IXYS 公司设计生产的 HiPerRFTM 功率 MOSFET 系列产品。它们属于 F 类(MegaHertz 切换),适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、开关模式电源、直流斩波器等。这些 MOSFET 具有 RF 能力,适合用于工业应用,如脉冲发生、激光驱动和射频放大器。
    应用领域
    - DC-DC 转换器:提供高效的电压转换。
    - 开关模式和共振模式电源:适用于频率大于 500 kHz 的开关应用。
    - 直流斩波器:调节直流电压。
    - 13.5 MHz 工业应用:高频信号处理。
    - 脉冲发生:精确控制脉冲输出。
    - 激光驱动:稳定电流控制。
    - 射频放大器:增强射频信号。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 最大漏源电压 VDSS | IXFH12N50F, IXFT12N50F | - | - | 500 V |
    | 漏极电流 ID @ 25℃ | IXFH12N50F, IXFT12N50F | 12 A | - | - |
    | 导通电阻 RDS(on) | IXFH12N50F, IXFT12N50F | - | 400 mΩ | - |
    | 开关时间 trr | IXFH12N50F, IXFT12N50F | - | - | 250 ns |

    产品特点和优势


    空间节省
    - 高密度封装减少了板级空间占用。
    高性能
    - 极低的导通电阻 RDS(on),典型值为 400 mΩ。
    - 高速开关性能,trr 可达 250 ns。
    强大的设计
    - 多金属工艺降低了栅极电阻。
    - 鲁棒的多晶硅栅极单元结构。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在工业应用中,如激光驱动和射频放大器,IXFH12N50F 和 IXFT12N50F 显示出优异的性能。这些器件可以有效降低功耗并提高效率,特别是在高频环境下。
    使用建议
    - 在使用时,确保正确的散热管理以避免过热。
    - 外部电阻的选择对于开关时间和电流控制至关重要,推荐使用 4.7Ω 的外部电阻。

    兼容性和支持


    兼容性
    IXFH12N50F 和 IXFT12N50F 与多种电子系统兼容,适用于各种工业应用。该器件具有不同的封装形式,包括 TO-247 和 TO-268,方便不同需求的应用。
    支持与维护
    IXYS 公司提供了全面的技术支持和维护服务,包括产品手册、技术文档和客户支持热线,以确保用户能够顺利使用和维护这些器件。

    常见问题与解决方案


    问题1:导通电阻过高
    解决方法:检查连接和焊接质量,确保所有引脚正确安装且没有短路。
    问题2:开关速度慢
    解决方法:优化外部电阻选择,确保适当的门极电阻以加快开关速度。
    问题3:温度过高
    解决方法:增加散热片或使用热管进行冷却,确保散热路径畅通无阻。

    总结和推荐


    综合评估
    IXFH12N50F 和 IXFT12N50F 是高性能的功率 MOSFET,特别适用于高频开关应用。其低导通电阻、高速开关性能和鲁棒的设计使其成为许多应用的理想选择。
    推荐
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐 IXFH12N50F 和 IXFT12N50F 在各种高频开关应用中使用。这些器件不仅性能出色,而且制造商还提供了优质的技术支持和服务,使得用户能够放心使用和维护。

IXFT12N100F参数

参数
栅极电荷 77nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@4mA
配置 独立式
通道数量 1
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.05Ω@ 6A,10V
Id-连续漏极电流 12A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.7nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 1KV
长*宽*高 16.05mm*14mm*5.1mm
通用封装 TO-268
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFT12N100F厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFT12N100F数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFT12N100F IXFT12N100F数据手册

IXFT12N100F封装设计

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