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IXTA18P10T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 83W(Tc) 15V 4.5V@ 250µA 39nC@ 10 V 1个P沟道 100V 120mΩ@ 9A,10V 18A 2.1nF@25V TO-263AA 贴片安装
供应商型号: ZT-IXTA18P10T
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA18P10T

IXTA18P10T概述


    产品简介


    产品名称:IXTY18P10T, IXTA18P10T, IXTP18P10T
    类型与功能:IXTY18P10T, IXTA18P10T, IXTP18P10T 是一种P沟道增强模式的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高压和高电流的应用场景。它们具备雪崩击穿耐受能力,能够提供较高的功率密度。
    应用领域:这些器件广泛应用于高压侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器和电池充电器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源电压 \( V{DSS} \) | -100 V | -100 V | -100 V |
    | 漏极电流 \( I{D25} \) | -18 A | -18 A | -18 A |
    | 导通电阻 \( R{DS(on)} \) | - | 120 mΩ | - |
    | 栅极漏电流 \( I{GSS} \) | - | ±50 nA | - |
    | 栅极源电压 \( V{GSS} \) | - | +15 V | +25 V |
    | 雪崩能量 \( E{AS} \) | - | 200 mJ | - |
    | 最大功耗 \( PD \) | - | 83 W | - |
    | 工作温度范围 \( TJ \) | -55°C | +150°C | +150°C |
    | 储存温度范围 \( T{STG} \) | -55°C | +150°C | +150°C |
    | 极限引脚温度 \( TL \) | - | 300°C | - |

    产品特点和优势


    特点:
    - 符合国际标准封装。
    - 雪崩击穿耐受能力。
    - 扩展的FBSOA(安全工作区)。
    - 快速体二极管。
    - 低导通电阻和栅极电荷。
    优势:
    - 易于安装。
    - 节省空间。
    - 高功率密度。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    这些MOSFET广泛应用于高边开关、推挽放大器和直流斩波器等场合。例如,在电动汽车的电池管理系统中,这些MOSFET可以作为高边开关用于控制电池充放电过程中的电流。
    使用建议:
    - 在应用时,确保引脚温度不超过极限值,以防止损坏。
    - 选择合适的栅极电阻,以优化开关速度。
    - 在高温环境下工作时,注意散热设计,以保持良好的性能和可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    这些MOSFET与常见的TO-220, TO-252, 和 TO-263 封装标准相兼容,易于替换和集成到现有系统中。
    支持:
    IXYS公司提供详尽的技术文档和应用指南,以及专业的技术支持服务,帮助客户解决问题并优化设计。

    常见问题与解决方案


    问题1:设备过热。
    解决方案:增加散热片或采用外部冷却措施,确保工作温度不超出规定范围。
    问题2:开关速度不够快。
    解决方案:选择合适的栅极电阻,减少栅极电荷,提高开关速度。
    问题3:器件击穿。
    解决方案:确保器件的工作电压不超过最大额定值,避免超过雪崩能量限制。

    总结和推荐


    总结:
    IXTY18P10T, IXTA18P10T, IXTP18P10T MOSFET 是一款高性能的产品,具有易于安装、节省空间和高功率密度的优势。这些器件广泛适用于各种高电流和高压应用,特别适合电池管理和电力转换系统等场合。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛应用范围,强烈推荐在需要高压、高电流应用的项目中使用这些器件。同时,建议用户在实际使用前仔细阅读技术手册,确保正确安装和配置,以发挥最佳性能。

IXTA18P10T参数

参数
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.1nF@25V
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 15V
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 9A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
最大功率耗散 83W(Tc)
栅极电荷 39nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 100V
10.29mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA18P10T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA18P10T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA18P10T IXTA18P10T数据手册

IXTA18P10T封装设计

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