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IXGA20N120B3

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 2.7V 独立式 3.1V@ 15V,16A 36A TO-263AA 贴片安装
供应商型号: ZT-IXGA20N120B3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXGA20N120B3

IXGA20N120B3概述


    产品简介


    产品类型:IXGA20N120B3 和 IXGP20N120B3 是由 IXYS 公司生产的 1200V IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。这类产品广泛应用于各种功率转换和控制场合,具备高速低饱和电压的特点。
    主要功能:这些 IGBT 设计用于低导通损耗和开关损耗的应用。它们适用于高频率操作(3-20 kHz),并具有方形 RBSOA(反向偏置安全操作区域)。
    应用领域:这些产品常用于电源逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动、开关电源(SMPS)、功率因数校正电路(PFC)、焊接机和感应加热设备等应用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VCES(集电极-发射极间电压):1200 V(在温度范围 -55°C 至 +150°C)
    - VGR(栅极-发射极间电压):±20 V(连续),±30 V(瞬时)
    - IC(集电极电流):25°C 时 36 A,90°C 时 20 A
    - SSOA(短路安全操作区):40 A(在 VGE = 15V,TJ = 125°C,RG = 15Ω 下)
    - 特性值
    - BVCES(集电极-发射极间击穿电压):1200 V
    - VGE(th)(栅极-发射极阈值电压):2.5 V 至 5.0 V
    - gfs(转移增益):7.5 S 至 12.5 S
    - Cies(输入电容):1070 pF
    - Coes(输出电容):80 pF
    - Cres(反向传输电容):32 pF
    - Qg(栅极电荷):51 nC
    - td(on)(开通延迟时间):16 ns
    - tri(上升时间):31 ns
    - Eon(开通能量):0.92 mJ
    - td(off)(关断延迟时间):150 ns
    - tfi(下降时间):155 ns
    - Eoff(关断能量):0.56 mJ 至 1.00 mJ
    - RthJC(结到壳热阻):0.69°C/W

    产品特点和优势


    - 高功率密度:适用于紧凑型设计,提供更高的效率。
    - 低门极驱动需求:降低整体系统复杂度和成本。
    - 方形 RBSOA:增强可靠性,适应广泛的负载条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例:这些 IGBT 可以用于高频率电源逆变器、电机驱动系统、感应加热设备和 UPS 系统中。例如,在一个电动机驱动系统中,IXGA20N120B3 能够有效减少能量损耗,提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热设计足够高效,以维持可靠运行。
    - 根据负载条件选择合适的门极电阻,以优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 这些 IGBT 符合国际标准封装,易于集成到现有的系统中。
    - 厂商提供详细的技术支持和维护服务,帮助客户进行产品选型和应用开发。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高频应用下出现不稳定现象。
    - 解决办法:检查门极驱动电路的设计,确保其能够提供稳定的驱动信号。必要时增加门极电阻以优化开关性能。
    2. 问题:产品在高温条件下过热。
    - 解决办法:改善散热设计,使用更大的散热器或者风扇,以保持适当的结温。

    总结和推荐


    IXGA20N120B3 和 IXGP20N120B3 作为高性能的 IGBT 产品,在多种应用中表现出色。其高功率密度、低门极驱动需求和方形 RBSOA 特点使其在电源转换和控制领域极具竞争力。强烈推荐使用这些 IGBT 来提高系统的效率和可靠性,尤其是在需要高频率开关的场合。

IXGA20N120B3参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 3.1V@ 15V,16A
最大集电极发射极饱和电压 2.7V
配置 独立式
集电极电流 36A
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263AA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXGA20N120B3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXGA20N120B3数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXGA20N120B3 IXGA20N120B3数据手册

IXGA20N120B3封装设计

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