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IXTH30N60L2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 540W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 335nC@ 10 V 1个N沟道 600V 240mΩ@ 15A,10V 30A 10.7nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: 747-IXTH30N60L2
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH30N60L2

IXTH30N60L2概述

    IXTH30N60L2/IXTQ30N60L2/IXTT30N60L2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTH30N60L2、IXTQ30N60L2 和 IXTT30N60L2 是由 IXYS Corporation 设计的 N-Channel Enhancement Mode 功率 MOSFET。这些产品主要用于线性操作,符合国际标准封装,且具备雪崩击穿能力。此外,它们的模具环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级分类,确保了高度的安全性。这些 MOSFET 在 75°C 下保证具有线性极限电流安全操作区域(FBSOA)。

    技术参数


    | 参数 | 最大值 (Max.) | 典型值 (Typ.) | 最小值 (Min.) |
    ||
    | VDSS(漏源电压)| 600 V
    | VDGR(栅极反向电压)| 600 V
    | VGSS(栅极电压)| ±20 V ±30 V |
    | ID(连续漏极电流)| 30 A
    | IDM(脉冲漏极电流)| 80 A
    | PD(最大耗散功率)| 540 W
    | TJ(结温) | -55 至 150°C
    | RDS(on)(导通电阻)| ≤ 240 mΩ 240 mΩ |

    产品特点和优势


    1. 线性操作设计:专为线性操作而设计,适用于需要精确控制的应用。
    2. 国际标准封装:提供 TO-247、TO-3P 和 TO-268 封装形式,方便集成到各种电路板中。
    3. 雪崩击穿能力:具有耐受高压冲击的能力,适合恶劣环境下的应用。
    4. UL 94 V-0 阻燃等级:确保安全操作,尤其在高温环境下。
    5. 75°C 下的 FBSOA 保证:为设计提供了极大的灵活性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 固态断路器:可应用于电路保护系统,实现快速响应和高精度的过流保护。
    - 软启动控制器:在电机和电源启动时,提供平滑的电流限制,减少启动时的冲击。
    - 线性放大器:适用于需要高精度和低失真的放大电路。
    - 程序负载:用于测试和校准电路,提供稳定的电流输出。
    - 电流调节器:适用于各种需要精确电流调节的应用,如电池充电器。
    使用建议:
    - 确保电路板的设计符合 MOSFET 的电气特性和热管理要求。
    - 使用适当的散热器和 PCB 设计以提高散热效果,特别是在高电流和高温环境下运行时。
    - 定期检查电路板和散热系统的状态,避免因过热而导致故障。

    兼容性和支持


    - 这些 MOSFET 产品与其他标准的电子元件和设备兼容,便于集成到现有的电路设计中。
    - IXYS Corporation 提供全面的技术支持,包括安装指南、详细的数据手册和技术文档,帮助用户正确安装和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作时温度过高导致失效
    - 解决方案:增加散热器的面积,优化 PCB 设计,改善空气流通,或者使用风扇辅助散热。
    2. 问题:漏电流异常
    - 解决方案:检查焊接点是否牢固,确保没有短路情况发生;清洁并重新焊接可能损坏的连接。
    3. 问题:开关速度较慢
    - 解决方案:减小门极电阻,或选择更适合高速应用的 MOSFET 型号。

    总结和推荐


    IXTH30N60L2/IXTQ30N60L2/IXTT30N60L2 MOSFET 在众多应用中表现出色,特别是在需要高可靠性、线性操作和精确电流控制的应用场合。其先进的雪崩击穿能力和良好的散热性能使得这些产品在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐在需要高性能、可靠性的电子设计项目中使用这些产品。

IXTH30N60L2参数

参数
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.7nF@25V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 30A
最大功率耗散 540W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 15A,10V
栅极电荷 335nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 1
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH30N60L2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH30N60L2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH30N60L2 IXTH30N60L2数据手册

IXTH30N60L2封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 22.609 ¥ 191.0461
10+ $ 19.548 ¥ 165.1806
30+ $ 13.7052 ¥ 115.8089
120+ $ 12.012 ¥ 101.5014
库存: 6413
起订量: 1 增量: 1
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最小起订量为:1
合计: ¥ 191.04
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