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IXFP90N20X3M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 36W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 78nC@ 10 V 1个N沟道 200V 12.8mΩ@ 45A,10V 90A 5.42nF@25V TO-220 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFP90N20X3M
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFP90N20X3M

IXFP90N20X3M概述


    产品简介


    IXFP90N20X3M是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于开关电源、谐振模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动器以及机器人和伺服控制等领域。它采用了国际标准封装,具有低RDS(on)(导通电阻)和低QG(栅电荷),能够在-55℃至+150℃的工作温度范围内稳定运行。其高功率密度、易于安装和空间节省等特点使其在市场上具有显著的竞争优势。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大漏源电压 (VDSS): 200V
    - 漏极电流 (ID): 90A (TC = 25°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤ 12.8mΩ (VGS = 10V, ID = 45A)
    - 电气特性
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.5V ~ 4.5V
    - 漏极-源极二极管的最大反向电压 (VSD): 1.4V
    - 反向恢复时间 (trr): 95ns
    - 输入电容 (Ciss): 5420pF
    - 热特性
    - 结温范围 (TJ): -55°C ~ +150°C
    - 最大结温 (TJM): 150°C
    - 热阻 (RthJC): 3.5°C/W
    - 热阻 (RthCS): 0.50°C/W

    产品特点和优势


    1. 高功率密度:IXFP90N20X3M能够在紧凑的空间内提供较高的输出功率。
    2. 易于安装:塑料包覆底座设计使得安装更加便捷。
    3. 空间节省:其紧凑的设计使得它可以被广泛应用于空间受限的应用场合。
    4. 电气隔离:具备2500V的电气隔离能力,可以有效避免电气干扰。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:IXFP90N20X3M在高频开关电源中的应用非常广泛。例如,在开关电源设计中,它可以作为主开关管,通过低导通电阻和低栅电荷特性减少能量损耗。

    - 使用建议:为了确保最佳性能,应根据实际工作条件选择合适的散热措施,如增加散热片或使用风扇冷却。同时,在使用过程中应注意避免过高的峰值电压和电流冲击,以防止损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFP90N20X3M采用标准的TO-220封装,可以与其他同类产品轻松替换。同时,其电气隔离设计也使其可以与多种电路板布局兼容。
    - 支持:IXYS公司提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南、维修手册和故障排除指南,帮助用户更好地使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过热问题:在高功率应用中,如果发现器件温度过高,可以采取增加散热片或风扇冷却等措施。
    - 问题2:电气噪声干扰:如果发现电气噪声干扰较大,可以考虑增加滤波器或优化电路布局。
    - 问题3:性能下降:如果发现器件性能下降,可能是因为工作温度超过了额定范围,需要检查和调整工作环境。

    总结和推荐


    综上所述,IXFP90N20X3M具有出色的性能和广泛应用的潜力,特别是在高频开关电源、直流-直流转换器和电机驱动等领域表现出色。其高功率密度、易于安装和电气隔离等特性使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐在需要高性能功率MOSFET的应用中选用IXFP90N20X3M。

IXFP90N20X3M参数

参数
最大功率耗散 36W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 78nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 90A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.42nF@25V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
Rds(On)-漏源导通电阻 12.8mΩ@ 45A,10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFP90N20X3M厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFP90N20X3M数据手册

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IXFP90N20X3M封装设计

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