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IXTP32P20T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 15V 4V@ 250µA 185nC@ 10 V 1个P沟道 200V 130mΩ@ 16A,10V 32A 14.5nF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTP32P20T
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP32P20T

IXTP32P20T概述

    # IXYS P-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本信息
    IXYS推出的IXTA32P20T、IXTP32P20T、IXTQ32P20T和IXTH32P20T是P-Channel增强型MOSFET器件,适用于高电流、高压的应用场景。这些产品在高侧开关、直流斩波器、自动测试设备、电池充电器及推挽放大器等应用场景中表现出色。产品具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,能够显著提高能效并降低功耗。
    主要功能
    - 高侧开关:适合电源管理系统的高侧开关设计。
    - 高速切换:出色的开关速度,使它成为高频应用的理想选择。
    - 大电流能力:支持高达32A的连续电流和96A的脉冲电流。
    - 高可靠性:具备雪崩耐受能力,保证设备在恶劣条件下的稳定运行。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 击穿电压 (V) | -200 | -200 | -200 |
    | 导通电阻 (RDS(on), mΩ) 130
    | 最大栅源电压 (VGSS, V) +15 | +25 |
    | 最大漏极电流 (ID, A) -32 | -96(脉冲) |
    | 工作温度范围 (°C) | -55 | +150 | +150 |
    其他关键参数包括寄生电容(Ciss、Coss、Crss)、门极电荷(Qg、Qgs、Qgd)和热阻抗(RthJC)。这些参数表明器件具有快速响应时间和卓越的热稳定性。

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:RDS(on) ≤ 130mΩ,显著降低功耗。
    - 快速开关性能:快速开关特性(tr=15ns, tf=12ns)适合高频应用。
    - 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适应严苛的工作环境。
    - 兼容标准封装:提供TO-220、TO-247等多种封装形式。
    市场优势
    - 高功率密度设计节省空间。
    - 轻松实现高效热管理。
    - 易于安装,提供多种标准化连接方式。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 推挽放大器:通过低导通电阻实现高效率的信号放大。
    - 电池充电器:利用快速开关时间提高电池充放电效率。
    - 自动测试设备:可靠性和低功耗满足高性能测试需求。
    使用建议
    - 驱动电路设计:建议使用合适的门极驱动电路以避免过压损坏。
    - 散热优化:合理选择散热器和安装方式以保证长期稳定性。
    - 保护措施:结合外部保护二极管防止反向电流冲击。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持主流PCB布局,与多种控制器兼容。
    - 提供多封装选择,便于灵活设计。
    支持服务
    - IXYS提供详尽的技术文档和现场技术支持。
    - 客户可获得定制化解决方案和技术指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备发热严重 | 检查散热设计,确保良好的热传导路径。 |
    | 开关频率异常 | 检查驱动电路,调整门极电阻。 |
    | 性能不达标 | 核对电路板布局及元件匹配情况。 |

    总结和推荐


    产品评估
    - 优点:
    - 低导通电阻,提升系统能效。
    - 快速开关性能,适用于高频应用。
    - 稳定性好,适用于极端工作条件。
    - 不足:
    - 栅极电荷较大,可能需要更复杂的驱动电路。
    推荐意见
    总体来看,IXYS的P-Channel Power MOSFET产品线表现优异,适合需要高效、高可靠性电力转换和控制的应用场景。对于要求严格的工业、汽车和通信领域,建议优先选用此类器件。

IXTP32P20T参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 16A,10V
Vgs-栅源极电压 15V
最大功率耗散 300W(Tc)
栅极电荷 185nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 32A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 14.5nF@25V
FET类型 1个P沟道
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP32P20T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP32P20T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP32P20T IXTP32P20T数据手册

IXTP32P20T封装设计

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