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IXFK44N50Q

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 500W(Tc) 20V 4V@4mA 190nC@ 10 V 1个N沟道 500V 120mΩ@ 22A,10V 44A 7nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: LDL-IXFK44N50Q
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK44N50Q

IXFK44N50Q概述


    产品简介


    PLUS 247TM (IXFX) 和 HIPErfet™ Power MOSFETs (IXFK/IXFX 44N50Q/48N50Q) 是由IXYS公司设计制造的一系列N通道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这类器件具备低导通电阻(RDS(on))、高耐压能力(VDSS)以及快速开关特性,适用于多种高效率电力转换与控制场合。
    主要功能:这些MOSFET芯片通过先进工艺实现了低栅极电荷(Qg)和低电容特性,确保设备易于驱动且具有更快的开关速度。其国际标准封装形式进一步提高了空间利用率与安装便利性。
    应用领域:它们广泛应用于直流-直流变换器、电池充电器、电机控制器等领域,特别是在需要高性能开关频率及较低功耗的应用中表现出色,如AC-DC电源适配器、工业控制电路等。

    技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VDSS(最大电压) | TJ=25℃至150℃ | - | 500V | - |
    | ID(连续电流) | TC=25℃ | 44A | 48A | - |
    | ID(脉冲峰值电流)| TC=25℃,脉宽受限于TJM | 176A | 192A | - |
    | RDS(on) | VGS=10V, ID=0.5×ID25 | - | 100mΩ | 120mΩ |
    | Qg(on) | VGS=10V,VDS=0.5×VDSS,ID=0.5×ID25 | - | 190nC | - |
    其他关键参数还包括:结温范围为-55℃至+150℃;最高工作温度可达150℃;热阻抗RthJC为0.26K/W,RthCK为0.15K/W;支持高达50W的功耗能力。

    产品特点和优势


    PLUS 247TM和HIPErfet™系列MOSFET采用先进的低栅极电荷生产工艺,使其成为一款理想的高效能解决方案。以下是其显著优势:
    - 易于驱动:低电荷与电容特性减少了驱动能耗。
    - 快速开关:优化后的开关时间(trr<250ns)适合高频应用。
    - 紧凑设计:国际标准封装提升了电路板空间利用效率。
    - 高可靠性:经UL认证的阻燃材料符合严格的防火标准。
    这些特性使得该系列产品在市场上具有极强的竞争优势,并能够满足现代电子产品对高性能和可靠性的要求。
    应用案例与使用建议
    在实际应用中,PLUS 247TM与HIPErfet™常被用于以下场景:
    1. 开关模式电源:由于具备快速响应时间和良好热管理性能,在开关电源设计中可有效降低能量损耗并提高整体效率。
    2. 电机驱动电路:其强大的承载能力和低导通电阻非常适合电机控制系统的电流调节需求。
    3. LED照明驱动:适合用于LED驱动模块中实现稳定的电流供应。
    使用建议:
    为了最大化发挥这些MOSFET的优势,在布线时应尽量缩短引脚长度以减少寄生电感,并合理分配散热片来保持良好的热流通畅。

    兼容性和支持


    上述型号完全兼容国际通用的标准封装接口,便于与现有系统集成。此外,IXYS公司提供了全面的技术支持服务,包括在线文档资源、样品申请和技术培训课程,帮助客户快速掌握产品特性并成功部署。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的工作电压?
    - 解答:根据输出电流选择对应型号,并参考图表确认在特定条件下器件的额定电压裕度。
    2. 问题:如何改善散热效果?
    - 解答:增加外置散热器或采用风扇强制冷却方式均可显著提升器件的散热能力。
    总结与推荐
    总体来看,PLUS 247TM和HIPErfet™系列Power MOSFET凭借其优异的性能表现、广泛适用性以及良好的市场口碑,无疑是一款值得信赖的产品。我们强烈推荐给寻求高性能、低成本且易于集成的解决方案的专业人士。
    如果您正在寻找一种能够在恶劣环境中稳定工作的理想功率半导体解决方案,那么这系列产品将是您的首选之一。

IXFK44N50Q参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 22A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 44A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 500V
栅极电荷 190nC@ 10 V
配置 独立式
最大功率耗散 500W(Tc)
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK44N50Q厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK44N50Q数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK44N50Q IXFK44N50Q数据手册

IXFK44N50Q封装设计

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