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IXTH64N65X

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 890W(Tc) 30V 5V@ 250µA 143nC@ 10 V 1个N沟道 650V 51mΩ@ 32A,10V 64A 5.5nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: 747-IXTH64N65X
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH64N65X

IXTH64N65X概述


    产品简介


    IXTH64N65X 是一款由IXYS公司生产的高性能N-沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于高压开关电源、DC-DC转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动系统,以及机器人和伺服控制系统等领域。IXTH64N65X 的关键特性是其国际标准封装、低导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG),同时具有较低的封装电感,这使其在高频开关应用中表现出色。

    技术参数


    以下是IXTH64N65X的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - VDSS (漏源电压):650 V
    - VDGR (漏-栅击穿电压):650 V
    - VGSS (栅源电压):连续 30 V,瞬态 40 V
    - ID25 (25°C时的最大漏极电流):64 A
    - IDM (峰值脉冲漏极电流):128 A
    - PD (最大耗散功率):890 W
    - TJ (结温范围):-55 … +150°C
    - Tstg (存储温度范围):-55 … +150°C
    - TL (最高引脚焊接温度):300°C
    - TSOLD (引脚距外壳1.6mm处的最高焊锡温度):260°C
    - 特性值:
    - BVDSS (漏-栅击穿电压):≥ 650 V
    - VGS(th) (栅-源阈值电压):3.0 – 5.0 V
    - RDS(on) (导通电阻):≤ 51 mΩ(@ VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25)
    - Ciss (输入电容):5500 pF
    - Coss (输出电容):4090 pF
    - Crss (反向传输电容):80 pF
    - Co(er) (有效输出电容):257 pF
    - Co(tr) (传输输出电容):834 pF
    - td(on) (导通延迟时间):22 ns
    - tr (上升时间):25 ns
    - td(off) (关断延迟时间):80 ns
    - tf (下降时间):28 ns
    - Qg(on) (导通栅极电荷):143 nC
    - Qgs (栅极-源极电荷):29 nC
    - Qgd (栅极-漏极电荷):70 nC
    - RthJC (结到壳热阻):0.14 °C/W
    - RthCS (结到散热器热阻):0.21 °C/W

    产品特点和优势


    - 高功率密度:低RDS(on) 和 QG 特性使得IXTH64N65X能够在紧凑的空间内提供较高的功率处理能力。
    - 易于安装:标准化封装设计使得安装过程简单便捷。
    - 节省空间:低封装电感有助于提高频率响应,从而减少体积占用。
    - 安全性和可靠性:宽广的工作温度范围和高抗热性能,使该产品适用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    IXTH64N65X 广泛应用于多个行业,例如:
    - 开关电源和共振模式电源:在高频开关电源设计中,该MOSFET能够显著提高效率。
    - 直流-直流转换器:用于电动汽车、工业控制等场合的直流电源转换。
    - 机器人和伺服控制:在需要高可靠性和快速响应的应用中表现优异。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要确保电路能承受器件的高电压和大电流冲击。
    - 由于RDS(on)会随着温度升高而增加,建议采用良好的散热措施以保持性能稳定。
    - 考虑到反向恢复时间和储能电容,选择合适的电路拓扑结构以优化系统性能。

    兼容性和支持


    IXTH64N65X 采用标准的TO-247封装,可以方便地与其他标准MOSFET和相关电子设备进行互换。IXYS公司为用户提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和故障排除指南,帮助客户更好地使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的结温导致性能降低
    - 解决方案:确保电路设计中有足够的散热措施,如加装散热片或使用散热器。
    - 问题2:栅极震荡引起误触发
    - 解决方案:合理选择门极电阻并加入RC滤波网络来抑制震荡。
    - 问题3:过载电流引起的损坏
    - 解决方案:适当降低工作电压或增加过流保护机制。

    总结和推荐


    IXTH64N65X 是一款非常优秀的N-沟道增强型功率MOSFET,具备高功率密度、低导通电阻和高可靠性等特点。其广泛的应用领域和卓越的性能使其成为许多高压、高频应用的理想选择。强烈推荐在需要高效、稳定电力转换和控制的场合中使用IXTH64N65X。

IXTH64N65X参数

参数
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.5nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 51mΩ@ 32A,10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 143nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 64A
最大功率耗散 890W(Tc)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH64N65X厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH64N65X数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH64N65X IXTH64N65X数据手册

IXTH64N65X封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 16.56 ¥ 139.932
10+ $ 13.7052 ¥ 115.8089
120+ $ 11.5185 ¥ 97.3313
270+ $ 11.151 ¥ 94.226
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