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IXTH3N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 125W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 39nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 4.8Ω@ 1.5A,10V 3A 1.1nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: 747-IXTH3N100P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH3N100P

IXTH3N100P概述


    产品简介


    IXTA3N100P、IXTP3N100P 和 IXTH3N100P 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专门设计用于开关模式和共振模式电源、DC-DC转换器、激光驱动器、交流和直流电机驱动、机器人和伺服控制等领域。这些MOSFET器件采用了国际标准封装,具有低导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG),并且具有雪崩耐受能力。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS):1000V
    - 最大连续漏极电流(ID25):3A
    - 最大栅源电压(VGSS):±20V
    - 雪崩能量(EAS):200mJ
    - 输入电容(Ciss):1100pF
    - 输出电容(Coss):70pF
    - 反向传输电容(Crss):14.5pF
    - 正向偏置安全操作区(SOA):最高1000V电压下可承受10A电流脉冲
    - 最高结温(TJ):-55℃至+150℃
    - 热阻(RthJC):1.0℃/W

    产品特点和优势


    - 高功率密度:由于其低RDS(on),使得单位体积内能够承载更大的电流,从而提高功率密度。
    - 易于安装:标准封装设计使得这些MOSFET易于安装到电路板上。
    - 节省空间:紧凑的设计使它们适用于空间受限的应用场合。
    - 低栅极电荷(QG):低QG可以减少开关损耗,提升能效。
    - 雪崩耐受能力:能够在极端条件下可靠工作,确保更高的系统可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源:这些MOSFET器件在开关模式电源中的使用可以显著降低功耗,提高转换效率。
    - DC-DC转换器:在高频环境下使用这些MOSFET,可以有效地减小磁芯尺寸并减少电磁干扰。
    - 电机驱动:在电机驱动中使用这些MOSFET,可以实现更平稳的控制和更低的发热。
    使用建议:
    - 在使用时,确保栅极电压不超过±20V,以防损坏MOSFET。
    - 使用散热片以避免过热,特别是在高温环境中。

    兼容性和支持


    这些MOSFET产品采用多种封装(TO-263、TO-220、TO-247),方便集成到不同的设计中。制造商提供了详细的技术支持文档和在线资源,帮助用户快速解决问题并进行有效的设计集成。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定这些MOSFET的最大电流能力?
    - 答:参考技术手册中的“最大额定值”部分,确认最高连续漏极电流(ID25)为3A。在极端温度条件下,电流能力会相应下降。
    2. 问:这些MOSFET的导通电阻(RDS(on))随温度变化如何?
    - 答:手册中展示了RDS(on)随温度变化的数据图。通常情况下,温度升高会导致RDS(on)增加,影响MOSFET的性能。在高温环境下工作时,需要考虑这一因素。

    总结和推荐


    总体而言,IXTA3N100P、IXTP3N100P 和 IXTH3N100P 是一款优秀的高性能MOSFET,适用于多种高要求应用。其高功率密度、易安装、节省空间的特点使其在市场上具有较强的竞争力。然而,使用时需要特别注意温度管理,以保证长期稳定运行。基于以上因素,我们强烈推荐这些产品应用于对性能和可靠性有较高要求的电路设计中。

IXTH3N100P参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
栅极电荷 39nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 125W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@25V
Id-连续漏极电流 3A
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Rds(On)-漏源导通电阻 4.8Ω@ 1.5A,10V
通道数量 1
配置 独立式
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH3N100P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH3N100P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH3N100P IXTH3N100P数据手册

IXTH3N100P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 7.245 ¥ 61.2203
10+ $ 5.819 ¥ 49.1706
30+ $ 5.1516 ¥ 43.531
120+ $ 4.4496 ¥ 37.5991
270+ $ 3.294 ¥ 27.8343
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