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IXFX64N60P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.04KW(Tc) 30V 5V@8mA 200nC@ 10 V 1个N沟道 600V 96mΩ@ 500mA,10V 64A 12nF@25V TO-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: 747-IXFX64N60P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFX64N60P

IXFX64N60P概述

    PolarHV™ HiPerFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PolarHV™ HiPerFET 是一种高电压N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),适用于各种电力转换和开关应用。这种晶体管具有极高的电压耐受能力(VDSS = 600 V)和较高的电流承载能力(ID25 = 64 A),使得它非常适合用于电机控制、电源转换、工业驱动系统和照明等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 最大电压:600 V(VDSS)
    - 最大电流:64 A(ID25 @ 25°C)
    - 最小导通电阻:≤ 96 mΩ(RDS(on))
    - 电气特性
    - 门限电压:3.0 - 5.0 V(VGS(th))
    - 栅源漏电:±200 nA(IGSS)
    - 漏极电流最大值:150 A(IDM)
    - 雪崩击穿电流:64 A(IAR)
    - 热阻:0.12°C/W(RthJC)
    - 热特性
    - 最大结温:150°C(TJ)
    - 最大存储温度:-55°C 至 +150°C(Tstg)
    - 封装尺寸
    - 封装类型:TO-264 和 PLUS247
    - 引脚数量:4个引脚(1-Gate,2-Drain,3-Source,4-Drain)

    3. 产品特点和优势


    - 封装标准:采用国际标准封装,易于安装和维护。
    - 快速恢复二极管:集成的快速恢复二极管有助于提高效率。
    - 雪崩耐受:具有优秀的雪崩耐受能力,保证稳定可靠运行。
    - 低寄生电感:低寄生电感设计使得晶体管更易于驱动和保护。
    - 空间节省:小型封装设计能够节约空间,提高功率密度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电机控制:PolarHV™ HiPerFET 能够处理大电流,特别适合用于电机驱动系统的控制电路。
    - 电源转换:在高频开关电源中使用时,其快速恢复特性和低导通电阻能够显著提高能效。
    - 工业驱动系统:在高压、高电流环境下提供可靠的开关性能。
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,要确保栅极驱动电压和电流能够满足需求。
    - 注意散热管理,避免过热导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与现有的标准封装兼容,可以方便地替换现有设备中的其他同类产品。
    - 支持和服务:IXYS 提供全面的技术支持,包括应用指南、测试报告和技术文档等资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:栅极驱动电流不足
    - 解决方案:增加驱动电路的输出电流,确保有足够的栅极驱动能力。
    - 问题:过热
    - 解决方案:加强散热措施,例如加装散热片或使用散热器。

    7. 总结和推荐


    总体评价:
    PolarHV™ HiPerFET 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,其卓越的电气特性和可靠性使其在各种电力转换和开关应用中表现出色。产品具有易于安装、高效能和低成本等优点,非常适合作为高压应用的首选器件。
    推荐意见:
    鉴于其出色的表现和广泛的适用性,强烈推荐在需要高电压、高电流和高可靠性的应用场景中使用PolarHV™ HiPerFET。

IXFX64N60P参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 64A
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 200nC@ 10 V
最大功率耗散 1.04KW(Tc)
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 12nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 600V
Rds(On)-漏源导通电阻 96mΩ@ 500mA,10V
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFX64N60P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFX64N60P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFX64N60P IXFX64N60P数据手册

IXFX64N60P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 20.999 ¥ 177.4416
10+ $ 18.9216 ¥ 159.8875
30+ $ 16.794 ¥ 141.9093
120+ $ 15.015 ¥ 126.8768
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