处理中...

首页  >  产品百科  >  IXDR30N120D1

IXDR30N120D1

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 200W 2.4V 独立式 2.9V@ 15V,30A 50A ISOPLUS-247-3 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.34mm
供应商型号: ZT-IXDR30N120D1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXDR30N120D1

IXDR30N120D1概述

    # 高性能NPT IGBT技术手册概述

    产品简介


    基本介绍
    IXDR 30N120是一款高性能的非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBT),它采用ISOPLUSTM封装,具备电隔离背侧功能。这款IGBT集成了快速恢复二极管(FRED),广泛应用于电机控制、机器人驱动、直流斩波器、不间断电源系统(UPS)及开关模式和共振模式电源供应等领域。
    主要功能
    - 高切换速度:适合需要快速切换的应用。
    - 低切换损耗:提高能效。
    - 无闩锁的方形反向偏置安全操作区(RBSOA):增强稳定性。
    - 正温度系数:便于并联使用。
    - 电压控制的MOS输入:易于控制。
    - 快速恢复二极管:降低能量损失。
    应用领域
    - 交流电机速度控制
    - 直流伺服和机器人驱动
    - 直流斩波器
    - 不间断电源(UPS)
    - 开关模式和共振模式电源供应

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 条件 | 最大值 |
    |
    | VCES | TJ = 25°C至150°C | 1200 V |
    | VCGR | TJ = 25°C至150°C; RGE = 20 kΩ | 1200 V |
    | VGES | 持续 | ±20 V |
    | VGEM | 瞬态 | ±30 V |
    | IC25 | TC = 25°C | 50 A |
    | IC90 | TC = 90°C | 30 A |
    | ICM | TC = 90°C, tp = 1 ms | 60 A |
    特性参数
    | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | V(BR)CES | VGE = 0 V | 1200 V |
    | VGE(th) | IC = 1 mA, VCE = VGE | 4.5 V | 6.5 V | - |
    | ICES | VCE = VCES, TJ = 25°C | 1.5 mA | - | - |
    | TSTG | - | -55°C | - | +150°C |

    产品特点和优势


    产品特点
    - DCB隔离安装引脚:便于散热。
    - 符合TO-247AD封装标准:标准化安装方便。
    - 夹子或弹簧安装方式:提供多种安装选择。
    - 节省空间:适用于紧凑设计。
    - 高功率密度:提供更好的性能密度比。
    优势
    - 高效率:低损耗和高切换速度。
    - 可靠性:无闩锁的方形RBSOA。
    - 易于并联:正温度系数设计。
    - 快速恢复:集成快速恢复二极管。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机控制:适用于交流电机速度控制,确保平稳运行。
    - 机器人驱动:为机器人提供稳定的驱动电流。
    - 电源供应:适合用于UPS系统中的稳定电源供应。
    使用建议
    - 在使用时应注意避免过高的温度,可以通过加装散热片来改善热管理。
    - 配合适当的门极电阻,可以优化开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与设备兼容:符合TO-247AD封装标准,可直接替换类似型号。
    - 与其它电子元件兼容:适用于各种电路设计。
    支持
    - 厂商支持:IXYS公司提供全面的技术支持和维护服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 过温保护:检查散热装置是否安装到位,必要时加装风扇辅助散热。
    2. 切换频率不稳定:调整门极电阻,优化开关频率。
    3. 输出电流不稳定:检查负载连接是否良好,确保稳定供电。
    解决方案
    - 通过测试环境模拟并测量热耗散情况,找出过温原因。
    - 调整门极电阻值,以优化开关频率和效率。
    - 确保负载与IGBT之间的连接稳固可靠。

    总结和推荐


    综合评估
    IXDR 30N120是一款高效、可靠的NPT IGBT,适用于多种电力转换和控制场合。其独特的特点如无闩锁的RBSOA、正温度系数和快速恢复二极管,使其在多种应用中表现优异。厂商提供的技术支持和维护服务也保证了产品的长期可靠性和用户满意度。
    推荐结论
    我们强烈推荐IXDR 30N120给需要高性能、高可靠性IGBT的工程师和设计师。无论是电机控制还是电源供应系统,这款IGBT都能提供卓越的性能和稳定性。

IXDR30N120D1参数

参数
最大功率耗散 200W
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.9V@ 15V,30A
最大集电极发射极饱和电压 2.4V
配置 独立式
集电极电流 50A
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.34mm
通用封装 ISOPLUS-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXDR30N120D1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXDR30N120D1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS IGBT单管 IXYS IXDR30N120D1 IXDR30N120D1数据手册

IXDR30N120D1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 10.4727 ¥ 87.7615
库存: 0
起订量: 7 增量: 30
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2MBI150VA-060-50 ¥ 211.875
2MBI200VA-060-50 ¥ 240.125
5302DG-AA3-R ¥ 0.2782
AOD5B65MQ1E ¥ 3.5196
AOK20B60D1 ¥ 21.087
AOK30B120D2 ¥ 24.1973
AOK30B60D1 ¥ 16.9084
AOK60B60D1 ¥ 29.5395
AOT10B60D ¥ 9.2979
AOT20B65M1 ¥ 7.6109