处理中...

首页  >  产品百科  >  IXFH12N100P

IXFH12N100P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 463W(Tc) 30V 5V@1mA 80nC@ 10 V 1个N沟道 1KV 1.05Ω@ 6A,10V 12A 4.08nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: 3438377
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH12N100P

IXFH12N100P概述

    # IXFH12N100P 和 IXFV12N100P 系列功率 MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IXFH12N100P 和 IXFV12N100P 是由 IXYS Corporation 生产的高性能 N-沟道增强型 MOSFET。这些 MOSFET 被广泛应用于各种电源管理和电机控制领域,例如开关模式和共振模式电源供应、DC-DC 转换器、激光驱动器、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制系统。这些 MOSFET 具有高功率密度和易于安装的特点,能够在多种工业和商业应用中提供可靠的性能。

    技术参数


    主要技术规格
    - 最大击穿电压 (VDSS):1000 V
    - 连续漏极电流 (ID25):12 A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):24 A(TC=25°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):≤ 1.05Ω(VGS=10V,ID=0.5 • ID25)
    - 恢复时间 (trr):≤ 300 ns
    - 最大工作结温 (TJ):-55 ... +150°C
    - 最大结温 (TJM):150°C
    - 储存温度范围 (Tstg):-55 ... +150°C
    - 最大焊接引线温度 (TL):300°C
    - 塑封体焊接温度 (TSOLD):260°C
    电气特性
    - 栅极-源极击穿电压 (VDGR):1000 V(TJ=25°C 至 150°C)
    - 栅极-源极脉冲电压 (VGSM):± 40 V(瞬态)
    - 最大脉冲电压 (VGS(th)):3.5 - 6.5 V(VDS=VGS,ID=1mA)
    - 最小栅极-源极漏电流 (IGSS):± 100 nA
    - 最大栅极-漏极漏电流 (IDSS):20 μA(VGS=0V)
    - 最大输入电容 (Ciss):4080 pF
    - 输出电容 (Coss):246 pF(VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz)
    - 反向传输电容 (Crss):40 pF
    其他特性
    - 寄生二极管最大重复电流 (ISM):48 A
    - 寄生二极管正向电压 (VSD):1.5 V(IF=IS,VGS=0V)

    产品特点和优势


    特点
    - 低导通电阻 (RDS(on)) 和 低栅极电荷 (QG)
    - 雪崩额定值
    - 低封装电感
    - 快速内建整流器
    优势
    - 高功率密度
    - 易于安装
    - 节省空间

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些 MOSFET 在开关电源模块、DC-DC 转换器和激光驱动器中广泛应用。例如,在开关模式电源供应中,它们可以有效地降低损耗并提高效率。在激光驱动器中,由于其快速恢复特性和低导通电阻,这些 MOSFET 可以确保稳定的激光输出。
    使用建议
    - 选择合适的散热措施:考虑到高温下的可靠性和性能,建议在高功率应用中使用高效的散热系统。
    - 注意电路布局:合理规划电路布局以减少寄生电感和电容,避免高频噪声和振荡。
    - 监控温度:确保工作温度不超过最大限值,特别是在高负载条件下。

    兼容性和支持


    兼容性
    这些 MOSFET 与大多数标准 PCB 设计兼容,可用于多种封装类型,如 TO-247、PLUS220 和 PLUS220SMD。此外,它们与常见的栅极驱动电路和保护电路具有良好的兼容性。
    支持和维护
    IXYS 提供详细的技术支持文档和应用指南。用户可以通过官方技术支持渠道获取帮助,包括在线文档、电话支持和电子邮件咨询。IXYS 还提供定期的产品更新和技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. 问题:MOSFET 发热严重
    - 解决方案:检查散热片是否足够大且接触良好,确认电路设计没有寄生电感。

    2. 问题:栅极驱动信号异常
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动信号频率和幅度正确,无干扰。
    3. 问题:MOSFET 寿命短
    - 解决方案:确认工作温度不超限,保证散热良好;检查负载是否匹配,避免过载。

    总结和推荐


    综合评估
    IXFH12N100P 和 IXFV12N100P 系列 MOSFET 具有出色的性能和稳定性。其低导通电阻、快速恢复时间和高可靠性使其成为许多工业和商业应用的理想选择。这些 MOSFET 的多功能性和易用性使得它们在各种电力转换和控制应用中表现出色。
    推荐
    基于以上分析,强烈推荐这些 MOSFET 在需要高效、稳定和可靠的电源管理解决方案的应用中使用。对于寻求高性能功率器件的工程师和设计师来说,这些产品是不可多得的选择。

IXFH12N100P参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.05Ω@ 6A,10V
Id-连续漏极电流 12A
最大功率耗散 463W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
Vds-漏源极击穿电压 1KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.08nF@25V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 80nC@ 10 V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH12N100P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH12N100P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH12N100P IXFH12N100P数据手册

IXFH12N100P封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 52.8183
5+ ¥ 52.8183
10+ ¥ 47.3252
50+ ¥ 47.3252
库存: 591
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 52.81
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336