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IXFR80N50Q3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 570W(Tc) 30V 6.5V@8mA 200nC@ 10 V 1个N沟道 500V 72mΩ@ 40A,10V 50A 10nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: IXFR80N50Q3
供应商: 国内现货
标准整包数: 60
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFR80N50Q3

IXFR80N50Q3概述


    产品简介


    产品名称:IXFR80N50Q3 HiperFETTM Power MOSFET
    IXFR80N50Q3 是一款高性能 N 沟道增强模式场效应晶体管(MOSFET),由 IXYS Corporation 生产。这款 MOSFET 具备快速内在二极管,并具有较高的击穿电压和较低的导通电阻。适用于多种电源管理和控制应用,如 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器以及温度和照明控制。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源击穿电压):500 V
    - VDSG(栅源击穿电压):500 V
    - VGSS(栅源连续电压):±30 V
    - ID25(25°C时的最大连续漏电流):50 A
    - IDM(25°C时的单脉冲雪崩耐量):240 A
    - EAS(雪崩能量):5 J
    - 热阻(RthJC):0.22°C/W
    - 热阻(RthCS):0.15°C/W
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 最大引线焊接温度(TL):300°C
    - 典型特征值
    - BVDSS(漏源击穿电压):500 V
    - VGS(th)(栅源阈值电压):3.5 V - 6.5 V
    - IDSS(漏源饱和电流):50 μA
    - RDS(on)(导通电阻):72 mΩ
    - gfs(跨导):35 - 55 S
    - Qg(on)(门极电荷):200 nC
    - td(on)(导通延迟时间):30 ns
    - tr(上升时间):20 ns
    - td(off)(关断延迟时间):43 ns
    - tf(下降时间):15 ns

    产品特点和优势


    特点
    - 铜基硅芯片直接铜键合(DCB)基底
    - 隔离安装表面
    - 低内在栅极电阻
    - 电气隔离能力高达 2500 V
    - 快速内在二极管
    - 雪崩耐量
    - 低封装电感
    优势
    - 高功率密度
    - 安装方便
    - 空间节省

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC 转换器:IXFR80N50Q3 在高效率 DC-DC 转换器中表现出色,适合用于电信和工业应用。
    - 电池充电器:由于其高可靠性,IXFR80N50Q3 也适用于各类电池充电器,提供稳定可靠的电流控制。
    - 开关模式和谐振模式电源:IXFR80N50Q3 的低导通电阻和高阈值电压使其非常适合高频开关模式电源。
    使用建议
    - 选择合适的散热方案以保证其在高温下的稳定运行。
    - 使用适当尺寸的外部栅极电阻来减少开关损耗。
    - 考虑系统的整体布局和线路设计,以减少寄生电感对开关性能的影响。

    兼容性和支持


    IXFR80N50Q3 可与常见的 DC-DC 转换器和其他电源管理电路兼容。厂商提供了详细的测试条件和技术文档,以帮助用户更好地理解和应用该产品。同时,厂商还提供技术支持服务,帮助用户解决在使用过程中遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    问题 1:在高电流条件下,器件温度过高导致过热保护。
    解决方案:改善散热措施,如增加散热片或采用主动冷却方式,确保器件在安全的工作温度范围内运行。
    问题 2:高频工作时出现较大的电磁干扰。
    解决方案:优化 PCB 布局,尽量缩短电路走线长度,减少杂散电感,使用合适的滤波器以减少 EMI 干扰。
    问题 3:在启动时发现漏电流过大。
    解决方案:检查外围电路设计,确保栅极电阻的合适选择,避免过高的开关速率导致漏电流增大。

    总结和推荐


    IXFR80N50Q3 是一款具有高性能和多功能性的 MOSFET,特别适合于需要高可靠性和高效率的应用场合。其高功率密度、易于安装以及出色的散热能力,使其在各种电源管理和控制应用中表现出色。总体来说,推荐使用 IXFR80N50Q3,尤其是在要求高性能和高可靠性的场合。
    希望这篇文章能满足您的需求,如有进一步的问题或修改意见,请随时告知。

IXFR80N50Q3参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@8mA
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 500V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 72mΩ@ 40A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10nF@25V
Id-连续漏极电流 50A
最大功率耗散 570W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 200nC@ 10 V
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFR80N50Q3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFR80N50Q3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFR80N50Q3 IXFR80N50Q3数据手册

IXFR80N50Q3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
60+ ¥ 233.5659
120+ ¥ 225.4419
180+ ¥ 221.3798
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