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IXFH35N30

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@4mA 200nC@ 10 V 1个N沟道 300V 100mΩ@ 500mA,10V 35A 4.8nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: LDL-IXFH35N30
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH35N30

IXFH35N30概述

    # 高性能N沟道增强型功率MOSFET:IXYS HiPerFET™ 系列

    产品简介


    IXYS HiPerFET™ 系列是IXYS公司推出的一系列高性能N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这些器件采用了先进的HDMOS™工艺,具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关性能,广泛应用于各种高效率的电力转换系统。该系列产品以其卓越的性能、紧凑的设计和高可靠性著称,适合用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电器、电源管理和电机控制等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 耐压(VDSS) | TJ = 25°C至150°C 300 V
    | 栅源电压(VGS) | 持续 | -20 V +20 V |
    | 漏极电流(ID) | TC = 25°C 35 A | 40 A |
    | 峰值漏极电流(IDM) | TC = 25°C 140 A | 160 A |
    | 导通电阻(RDS(on)) | VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25 85 mΩ
    | 开关时间(tD(on)) | VGS = 10 V, VDS = 0.5 VDSS | 20 ns | 30 ns
    | 关断时间(td(off)) | RG = 2 Ω (外部) | 75 ns | 100 ns

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)):采用HDMOS™ 工艺,显著降低了器件的导通损耗。
    2. 高效率开关:快速开关性能减少了能量损耗,提高了系统的整体效率。
    3. 坚固的多晶硅栅极结构:增强了抗浪涌电流的能力,适合恶劣的工作环境。
    4. 国际标准封装:支持TO-247AD 和TO-204AE两种封装形式,便于安装和集成。

    应用案例和使用建议


    IXYS HiPerFET™ MOSFET广泛应用于多种电力电子应用中,如:
    - DC-DC转换器:利用其高效率特性提升系统性能。
    - 同步整流:减少整流过程中的能量损失。
    - 电池充电器:提供稳定可靠的充电解决方案。
    建议在设计时考虑散热管理以确保长期稳定性,并根据具体应用选择合适的封装类型。

    兼容性和支持


    IXYS HiPerFET™ 系列与主流控制器和其他外围器件兼容,且IXYS公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速部署产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机后发热严重 | 改善散热设计,增加散热片面积 |
    | 开关频率过高导致失效 | 降低开关频率,调整驱动电路参数 |
    | 过载保护失效 | 校准过流保护电路设置,检查接线 |

    总结和推荐


    综上所述,IXYS HiPerFET™ 系列功率MOSFET凭借其优异的性能指标和广泛的应用范围,在电力电子领域表现出色。对于需要高效能和可靠性的应用场景,这款产品无疑是一个理想的选择。因此,我们强烈推荐此款产品给所有寻求高性能功率管理解决方案的工程师和技术人员。

IXFH35N30参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.8nF@25V
Id-连续漏极电流 35A
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 500mA,10V
Vds-漏源极击穿电压 300V
栅极电荷 200nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@4mA
最大功率耗散 300W(Tc)
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFH35N30厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH35N30数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH35N30 IXFH35N30数据手册

IXFH35N30封装设计

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