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IXTH02N450HV

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 113W(Tc) 20V 6.5V@ 250µA 10.6nC@ 10V 1个N沟道 4.5KV 625Ω@ 10mA,10V 200mA 246pF@25V TO-247HV 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTH02N450HV
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH02N450HV

IXTH02N450HV概述

    高压功率MOSFET:IXTT02N450HV 和 IXTH02N450HV 技术手册

    1. 产品简介


    IXXT02N450HV 和 IXTH02N450HV 是由IXYS公司生产的高压增强型N沟道MOSFET。这类产品广泛应用于高电压电源、电容放电电路、脉冲电路和激光及X射线发生系统中。它们提供了高电压阻断能力和高功率密度的特点,使得它们成为高压应用中的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术规格和性能参数:
    - 最高电压阻断能力:VDSS高达4500V
    - 连续栅极电压:±20V
    - 脉冲栅极电压:±30V
    - 最大漏极电流(TC = 25°C):200mA(ID25),脉冲模式下可达600mA(IDM)
    - 功率耗散(TC = 25°C):113W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 封装重量:TO-268HV为4g,TO-247HV为6g
    - 输出电容(Ciss):246pF
    - 上升时间(tr):48ns
    - 下降时间(tf):143ns
    - 热阻(RthJC):1.1°C/W(TO-268HV),0.21°C/W(TO-247HV)

    3. 产品特点和优势


    这些MOSFET产品具有如下特点和优势:
    - 高电压阻断能力:能够承受高达4500V的电压,适用于高压应用。
    - 易于安装:低功耗和紧凑的设计使得它们易于安装,同时节省空间。
    - 高功率密度:在相同的封装尺寸下提供更高的电流和功率处理能力。
    - 快速开关速度:低导通电阻和低输入电容确保了更快的开关速度。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高电压电源:在需要高电压输出的应用中,如开关电源和电池充电器。
    - 电容放电应用:如闪光灯、激光打标设备等。
    - 脉冲电路:如通信系统中的脉冲调制器。
    - 激光和X射线发生系统:用于控制高能量脉冲。
    - 使用建议:
    - 在高电压应用中,注意散热管理,以避免因过热而导致的失效。
    - 确保正确的安装和连接,以避免电气故障。
    - 使用适当的驱动电路来确保MOSFET的正确开关操作。

    5. 兼容性和支持


    这些产品与标准的MOSFET驱动电路和其他外围设备兼容。IXYS公司提供了详细的技术支持文档和在线资源,帮助用户正确地使用和维护这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高电压下工作时,MOSFET温度过高。
    - 解决方案:增加外部散热片或采用更好的冷却方法。
    - 问题:开关速度不够快。
    - 解决方案:检查并调整驱动电路,确保足够的驱动电流。
    - 问题:设备启动时MOSFET烧毁。
    - 解决方案:确认电路设计符合规范,并进行适当的安全防护措施。

    7. 总结和推荐


    IXXT02N450HV 和 IXTH02N450HV 是高性能的高压功率MOSFET,适合于高电压应用领域。其高电压阻断能力、高功率密度和快速开关速度使其成为许多高压应用的理想选择。经过仔细的选择和正确的安装,这些产品将提供出色的性能和可靠性。因此,我们强烈推荐在合适的应用场景中使用这些产品。

IXTH02N450HV参数

参数
栅极电荷 10.6nC@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 625Ω@ 10mA,10V
最大功率耗散 113W(Tc)
Id-连续漏极电流 200mA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 4.5KV
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 246pF@25V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-247HV
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH02N450HV厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH02N450HV数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH02N450HV IXTH02N450HV数据手册

IXTH02N450HV封装设计

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