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IXTP4N80P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 100W(Tc) 30V 5.5V@ 100µA 14.2nC@ 10 V 1个N沟道 800V 3.4Ω@ 500mA,10V 3.6A 750pF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.82mm*9.15mm
供应商型号: ZT-IXTP4N80P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP4N80P

IXTP4N80P概述

    # 高质量电子元器件技术手册解析:IXTA4N80P/IXTP4N80P N-Channel Power MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型:IXTA4N80P/IXTP4N80P 是由IXYS公司生产的N-Channel Enhancement Mode功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件广泛应用于各种需要高效率、低损耗的电源转换和控制场合,如开关电源、电机驱动、光伏逆变器等。
    主要功能:
    - 可处理高达800V的电压。
    - 在10V的栅极电压下,漏极电流可达到3.6A,电阻极小。
    - 具备出色的开关特性和较低的门极电荷。
    应用领域:适用于各种工业应用中的开关电源、电动机驱动器、光伏系统和其他高功率密度应用。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | BVDSS (击穿电压) | - | 800V | - |
    | VGS(th) (阈值电压) | 3.0V | 5.5V | - |
    | RDS(on) (导通电阻) | - | 3.4Ω | - |
    | Ciss (输入电容) | 750pF | - | - |
    | Crss (反向传输电容) | 6.3pF | - | - |
    | Qg (栅极电荷) | 4.8nC | - | - |
    工作条件
    - 最大栅极电压:±30V(连续),±40V(瞬态)
    - 最大结温:150°C
    - 最大功耗:100W(在25°C条件下)
    封装
    - TO-263(IXTA)
    - TO-220(IXTP)

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 集成国际标准封装,易于安装。
    - 支持非钳位感性负载切换(UIS),提供高功率密度和低寄生电感。
    - 高速开关能力,减少开关损耗,提高整体效率。
    市场竞争力:
    - 体积小巧,节约空间。
    - 高可靠性,适用于严苛的工作环境。
    - 简化设计流程,易于驱动和保护。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    IXTA4N80P/IXTP4N80P 常用于高效率的开关电源转换器中。例如,在光伏逆变器中,它能够快速、可靠地进行开关操作,确保系统的稳定运行。此外,在电机驱动系统中,这类器件能有效降低能耗并提高整体效率。
    使用建议
    - 确保电路板布局合理,以减少寄生电感和寄生电容的影响。
    - 根据具体应用选择合适的驱动器,以实现最佳的开关性能。
    - 注意散热管理,尤其是在高功耗条件下。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IXTA4N80P/IXTP4N80P 能够与多种标准驱动器和控制器配合使用,提供广泛的兼容性。
    - 支持:IXYS公司提供全面的技术支持服务,包括详细的用户手册、技术文档和客户技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:器件发热严重
    - 解决办法:检查散热片是否正确安装,并确保良好的热传导。必要时增加外部冷却措施,如散热风扇或散热器。
    问题2:开关频率过低
    - 解决办法:调整驱动器的驱动电压,确保足够的栅极电荷。同时,检查是否有其他外部因素影响开关频率。
    问题3:器件损坏
    - 解决办法:检查电路连接是否正确,确保输入电压和电流在额定范围内。如果发现问题,及时更换损坏的部件。

    7. 总结和推荐


    综合评估:IXTA4N80P/IXTP4N80P 功率MOSFET 在多种应用中表现出色,尤其适合高效率、紧凑设计的场合。它的低导通电阻和高速开关特性显著提高了电源转换效率。对于追求高效、可靠的工程师而言,这款产品无疑是优选之一。
    推荐:强烈推荐使用 IXTA4N80P/IXTP4N80P,特别是针对那些需要高性能、高可靠性的应用。其优良的电气特性、易于安装和维护的特点使其成为各类高功率密度应用场景的理想选择。

IXTP4N80P参数

参数
栅极电荷 14.2nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 3.6A
Vds-漏源极击穿电压 800V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 750pF@25V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 3.4Ω@ 500mA,10V
最大功率耗散 100W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 100µA
长*宽*高 10.66mm*4.82mm*9.15mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP4N80P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP4N80P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP4N80P IXTP4N80P数据手册

IXTP4N80P封装设计

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