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IXTP08N120P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 50W(Tc) 20V 4.5V@ 50µA 14nC@ 10V 1个N沟道 1.2KV 25Ω@ 500mA,10V 800mA 333pF@25V 通孔安装
供应商型号: 747-IXTP08N120P
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP08N120P

IXTP08N120P概述

    # IXTA08N120P/IXTP08N120P N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    IXTA08N120P和IXTP08N120P是IXYS公司生产的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET。它们采用国际标准封装,适用于高压开关电源、谐振模式电源、脉冲功率应用、高压放电电路(如激光器、火花点火器和RF发生器)以及高压直流-直流转换器和逆变器。这些器件具有较高的耐压能力(1200V),低导通电阻(最大值为25Ω),并且具有优异的驱动性能,适合各种高压应用。

    技术参数


    主要技术规格
    - 最大耐压(VDSS): 1200V @ TJ = 25°C至150°C
    - 栅极击穿电压(VDGR): 1200V @ TJ = 25°C至150°C,RGS = 1MΩ
    - 连续栅极电压(VGSS): ±20V
    - 瞬态栅极电压(VGSM): ±30V
    - 最大漏电流(ID): 0.8A @ TC = 25°C
    - 最大脉冲漏电流(IDM): 1.8A @ TC = 25°C,脉冲宽度受TJM限制
    - 最大雪崩能量(EAS): 80mJ @ TC = 25°C
    - 最大dv/dt: 10V/ns @ IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C
    - 最大耗散功率(PD): 50W @ TC = 25°C
    - 最大结温(TJ): -55°C至+150°C
    - 最大结温极限(TJM): 150°C
    - 存储温度范围(Tstg): -55°C至+150°C
    - 焊接温度(TL): 300°C,1.6mm(0.062英寸)距离外壳,持续时间10秒
    - 浸焊温度(TSOLD): 260°C,塑料体,持续时间10秒
    - 安装扭矩(TO-220): 1.13 / 10 Nm/lb.in.
    - 重量(TO-263): 2.50g
    - 重量(TO-220): 3.00g
    特性值
    - 击穿电压(BVDSS): 1200V @ VGS = 0V, ID = 250μA
    - 阈值电压(VGS(th)): 2.5至4.5V @ VDS = VGS, ID = 50μA
    - 栅源漏电流(IGSS): ±50nA @ VGS = ±20V, VDS = 0V
    - 漏源漏电流(IDSS): 5μA @ VDS = VDSS
    - 导通电阻(RDS(on)): 20.5至25Ω @ VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25

    产品特点和优势


    产品特点
    - 国际标准封装: 提供标准化接口,易于集成。
    - 无钳位感应开关(UIS)额定值: 可以承受高能浪涌。
    - 低封装电感: 简化驱动和保护。
    - 易于安装: 便于在PCB上安装。
    - 节省空间: 采用小型化设计,节省电路板空间。
    - 高功率密度: 在紧凑的空间内实现更高的功率处理能力。
    产品优势
    - 高性能: 具备出色的导通电阻和快速开关特性。
    - 可靠性: 高额定电压和电流,适用于苛刻的工作环境。
    - 广泛应用: 能够满足多种高压应用的需求。
    - 易用性: 易于集成到现有系统中,简化设计流程。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 高压开关电源: IXTA08N120P和IXTP08N120P可以用于需要稳定输出的高压开关电源,如工业电源和通信电源。
    2. 脉冲功率应用: 在激光器、火花点火器和RF发生器中,这些器件能够提供稳定的脉冲功率输出。
    3. 高压直流-直流转换器: 这些MOSFET在高压直流-直流转换器中表现出色,能够实现高效的电压转换。
    4. 高压直流-交流逆变器: 在这些逆变器中,这些器件可以提高系统的效率和稳定性。
    使用建议
    - 散热管理: 由于较高的耗散功率(50W),在应用中需要良好的散热管理,以防止过热。
    - 驱动电路设计: 设计时应考虑MOSFET的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss),以确保稳定的驱动信号。
    - 寄生电感: 在高压开关应用中,应尽量减小寄生电感,以避免电压尖峰。
    - 电路布局: 合理的电路布局有助于减少噪声和电磁干扰。

    兼容性和支持


    兼容性
    - TO-263 封装(IXTA)
    - TO-220 封装(IXTP)
    这些MOSFET与大多数标准驱动电路和保护电路兼容。如果需要,IXYS公司提供了详细的参考设计和技术支持。
    支持
    - 技术文档: 包括技术手册、应用笔记、设计指南。
    - 客户支持: 专业的技术支持团队提供快速响应和服务。
    - 样品申请: 方便客户申请样品进行测试和评估。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题: 如何处理MOSFET的过热?
    - 解决方案: 确保电路设计有足够的散热措施,例如使用散热片或风扇。此外,可以考虑增加外部散热器或使用带有更好散热性能的封装。
    2. 问题: 如何降低噪声和电磁干扰?
    - 解决方案: 优化电路布局,减少寄生电感和电容。使用屏蔽线缆并增加滤波电容来降低噪声。
    3. 问题: 如何选择合适的驱动电路?
    - 解决方案: 根据MOSFET的输入电容(Ciss)和输出电容(Coss)选择适当的驱动电路,确保稳定的驱动信号。

    总结和推荐


    综合评估
    IXTA08N120P和IXTP08N120P是高性能的N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和优良的开关特性。这些特性使其成为高压应用的理想选择,特别适合开关电源、脉冲功率应用和高压转换器。产品设计时考虑到易用性和可靠性,使其在多种高压应用中表现出色。
    推荐意见
    我们强烈推荐IXTA08N120P和IXTP08N120P用于需要高可靠性和高性能的高压应用。尽管初始成本可能较高,但其卓越的性能和广泛的适用性使得长期使用非常经济高效。在设计过程中,务必考虑散热管理和合理的电路布局,以充分发挥这些MOSFET的优势。

IXTP08N120P参数

参数
栅极电荷 14nC@ 10V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 50µA
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 25Ω@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 333pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Id-连续漏极电流 800mA
最大功率耗散 50W(Tc)
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP08N120P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP08N120P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP08N120P IXTP08N120P数据手册

IXTP08N120P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 4.922 ¥ 41.5909
10+ $ 4.334 ¥ 36.6223
50+ $ 3.618 ¥ 30.5721
100+ $ 2.9268 ¥ 24.7315
500+ $ 2.5305 ¥ 21.3827
1000+ $ 2.1735 ¥ 18.3661
2500+ $ 2.079 ¥ 17.5676
库存: 3218
起订量: 1 增量: 1
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合计: ¥ 41.59
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