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IXFK44N60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 560W(Tc) 20V 4.5V@8mA 330nC@ 10 V 1个N沟道 600V 130mΩ@ 22A,10V 44A 8.9nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: ZT-IXFK44N60
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK44N60

IXFK44N60概述

    # IXFX 44N60 HiPerFET™ Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFX 44N60 是一款高功率密度的高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),采用了 HDMOSTM 工艺技术。此器件具有低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,适用于各种高压电力转换应用,如直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器、交流电机控制以及温度和照明控制等领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 最大漏源电压(VDSS):600 V
    - 漏极连续电流(ID):44 A(在25°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):176 A(在25°C)
    - 最大栅源电压(VGS):±20 V(持续),±30 V(瞬态)
    - 能量承受能力(EAR):60 mJ(在25°C)
    - 额定功耗(PD):560 W(在25°C)
    特征值
    - 导通电阻(RDS(on)):130 mΩ(在10 V栅源电压下)
    - 开关时间参数:开启时间(td(on))为40 ns,关断时间(td(off))为100 ns
    - 输出电容(Coss):1000 pF
    - 互连寄生电容(Crss):330 pF
    - 逆向恢复时间(trr):250 ns
    - 正向电压降(VSD):1.3 V
    热阻抗
    - 结-壳热阻(RthJC):0.22 K/W
    - 结-散热片热阻(RthCK):0.15 K/W
    温度范围
    - 工作结温(TJ):-55°C 到 +150°C
    - 存储温度(Tstg):-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:采用TO-264 AA和PLUS 247TM两种封装形式,适用于多种安装方式。
    - 低导通电阻:RDS(on)仅130 mΩ,适合需要低损耗的应用场合。
    - 坚固耐用的多晶硅栅极结构:提高了器件的可靠性和耐用性。
    - 易于驱动和保护:由于具有较低的栅极电容,可以轻松进行驱动和保护。
    - 高功率密度:适用于需要高效能功率转换的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器:由于其低RDS(on)和快速开关性能,非常适合用于高效率的直流-直流转换器中。
    - 电池充电器:高电流和低功耗特性使得其适用于各种电池充电器设计。
    - AC电机控制:适用于交流电机控制,尤其是那些要求高效能和低损耗的场合。
    使用建议
    - 在高频开关应用中,需特别注意反向恢复时间和寄生电容的影响,以确保系统的稳定性和可靠性。
    - 在高温环境中使用时,应考虑适当的散热措施以避免过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    - 该产品与市场上常见的直流-直流转换器和其他功率转换设备高度兼容。
    - 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分利用其性能优势。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 加强散热,确保良好的散热条件,必要时可加装散热片。 |
    | 驱动信号不稳定 | 检查驱动电路设计,确保有足够的驱动能力和稳定性。 |
    | 电流过大 | 根据应用需求选择合适的电流等级,或者在电路中增加保护机制,如保险丝或限流电阻。 |

    总结和推荐


    IXFX 44N60 HiPerFET™ Power MOSFET 在其应用范围内表现出色,特别是在需要高功率密度和低损耗的应用中。凭借其独特的特性,它在众多同类产品中脱颖而出。对于需要高效率和可靠性的工程师来说,这款MOSFET无疑是一个优秀的选择。强烈推荐在高压电力转换系统中使用。

IXFK44N60参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.9nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
通道数量 1
最大功率耗散 560W(Tc)
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 330nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 44A
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 22A,10V
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IXFK44N60厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK44N60数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK44N60 IXFK44N60数据手册

IXFK44N60封装设计

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