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IXFN120N20

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 600W(Tc) 20V 4V@8mA 360nC@ 10 V 1个N沟道 200V 17mΩ@ 500mA,10V 120A 9.1nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.6mm
供应商型号: LDL-IXFN120N20
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN120N20

IXFN120N20概述

    # IXFN 120N20 高效能功率 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型与主要功能
    IXFN 120N20 是一款高性能的 N 沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高电流密度和高可靠性设计。其核心功能包括快速开关能力、低导通电阻(RDS(on))、以及卓越的热稳定性和机械稳定性。
    应用领域
    该产品广泛应用于多个领域,例如:
    - 直流-直流转换器
    - 电池充电器
    - 开关电源和谐振模式电源
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制
    - 低电压继电器
    这些应用均需要高效能、高可靠性及紧凑设计,IXFN 120N20 在这些方面表现出色。

    技术参数


    以下是 IXFN 120N20 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(漏源击穿电压)| 200 V 200 V |
    | VGS(栅极电压) | ±20 V ±30 V |
    | ID(连续漏极电流) | 120 A 480 A |
    | RDS(on)(导通电阻) | 17 mΩ
    | 封装形式 | miniBLOC
    工作环境参数
    - 工作温度范围(TJ):-55°C 至 +150°C
    - 结温范围(TJM):150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(RthJC):0.22 K/W
    电学特性
    - 输入电容(Ciss):9100 pF
    - 输出电容(Coss):2200 pF
    - 反馈电容(Crss):1000 pF
    - 开关时间(td(on)):42 ns
    - 关断时间(td(off)):110 ns

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通电阻(RDS(on)):仅 17 mΩ(典型值),确保高效的功率转换效率。
    2. 快速开关速度:开关时间和反向恢复时间均优于同类产品。
    3. 封装设计:采用 miniBLOC 和 SOT-227B 封装,具有较低的寄生电感,适合高频应用。
    4. 抗雪崩能力(UIS):提供强健的电路保护。
    市场竞争力
    相比其他 MOSFET,IXFN 120N20 在高功率应用中表现出卓越的热管理能力和耐用性,使其成为高要求应用场景的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电动汽车充电器:其高耐压能力和低损耗特性非常适合电动车电池充电系统。
    - 工业逆变器:适合需要高功率密度的应用场景,如工业控制和机器人。
    - 消费电子设备:如家用空调、冰箱等需要高效能功率控制的产品。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到其高功率密度特性,建议在外壳上配备有效的散热片或强制冷却装置。
    2. 驱动电路优化:根据数据手册,合适的栅极电阻(RG)可以显著提升开关效率。
    3. 测试验证:在正式使用前,务必进行详细的电气和热性能测试以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    IXFN 120N20 可与多种主控芯片和驱动芯片兼容,例如专用 PWM 控制 IC 或 FPGA 芯片。
    支持与维护
    IXYS 提供详尽的技术支持文档,包括数据手册、设计指南和故障排除手册。此外,客户还可以通过官方渠道获取样品和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:导通电阻过高导致发热严重
    - 解决方案:检查散热设计是否合理;调整栅极驱动电阻以降低开关损耗。
    2. 问题:雪崩现象导致损坏
    - 解决方案:确认驱动电路的过压保护设计是否符合要求;增加外部缓冲电路。
    3. 问题:高频开关时出现噪声
    - 解决方案:优化 PCB 布局,减少寄生电感的影响;增加滤波电容。

    总结和推荐


    综合评估
    IXFN 120N20 功率 MOSFET 具有出色的性能指标、高效能和高可靠性,尤其适用于需要高功率密度和快速开关的应用场景。其独特的封装设计和卓越的电气特性使其在市场上具备显著的竞争优势。
    推荐结论
    我们强烈推荐 IXFN 120N20 用于需要高性能功率控制的应用场景。尽管初始成本可能略高,但其长期的可靠性和高效性将带来显著的经济回报。对于追求高性能和稳定性的用户来说,这是一个不可多得的选择。

    如有进一步问题或需要技术支持,请联系 IXYS 官方客服团队。

IXFN120N20参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@8mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.1nF@25V
栅极电荷 360nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 500mA,10V
Id-连续漏极电流 120A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 独立式双源
最大功率耗散 600W(Tc)
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IXFN120N20厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN120N20数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN120N20 IXFN120N20数据手册

IXFN120N20封装设计

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