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IXTQ48N20T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 250W(Tc) 30V 4.5V@ 250µA 60nC@ 10 V 1个N沟道 200V 50mΩ@ 24A,10V 48A 3.09nF@25V TO-3P 通孔安装 15.8mm*4.9mm*20.3mm
供应商型号: IXTQ48N20T
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTQ48N20T

IXTQ48N20T概述


    产品简介


    产品名称:IXTA48N20T / IXTP48N20T / IXTQ48N20T
    产品类型:N沟道增强型TrenchTM功率MOSFET
    这些功率MOSFET具有高电流处理能力、雪崩耐受性、快速固有二极管等特点,适用于各种电源转换应用。主要功能包括高效能的开关操作、低导通电阻(RDS(on))以及紧凑封装设计,使其广泛应用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器、交流电机驱动和不间断电源等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS(漏源击穿电压):200V
    - VDGR(栅源击穿电压):200V
    - VGSM(栅极最大电压):±30V
    - ID25(漏极连续电流@25°C):48A
    - IDM(脉冲电流@25°C):130A
    - IA(最大整流电流):5A
    - EAS(雪崩能量):500mJ
    - dv/dt(最大瞬态dv/dt):3V/ns
    - PD(最大耗散功率@25°C):250W
    - TJ(工作结温范围):-55°C ~ +175°C
    - TJM(最高结温):175°C
    - Tstg(存储温度范围):-55°C ~ +175°C
    - TL(焊接温度):300°C(1.6mm厚度,持续10秒)
    - TSOLD(塑料体温度):260°C(持续10秒)
    - 特征值
    - BVDSS(击穿电压@0V):200V
    - VGS(th)(栅极阈值电压):2.5V ~ 4.5V
    - IGSS(栅极漏电流@±20V):±100nA
    - IDSS(漏极饱和电流@0V):5μA(TJ=150°C时为250μA)
    - RDS(on)(导通电阻@10V):40mΩ ~ 50mΩ
    - gfs(跨导@10V):26S ~ 44S
    - Ciss(输入电容@10V):3090pF
    - Coss(输出电容@25V):350pF
    - Crss(反向传输电容):40pF
    - td(on)(导通延迟时间):20ns
    - tr(上升时间):26ns
    - td(off)(关断延迟时间):46ns
    - tf(下降时间):28ns
    - Qg(on)(总栅极电荷):60nC
    - Qgs(栅极-源极电荷):18nC
    - Qgd(栅极-漏极电荷):13nC
    - RthJC(热阻):0.50°C/W
    - RthCS(散热片热阻):TO-220:0.50°C/W;TO-3P:0.25°C/W

    产品特点和优势


    - 高电流处理能力:能够处理高达48A的连续漏极电流。
    - 雪崩耐受性:能够在极端条件下安全运行。
    - 快速固有二极管:改善电路的整体效率。
    - 低导通电阻:典型值为40mΩ至50mΩ,确保较低的损耗和热量产生。
    - 易于安装:提供了多种封装选项,简化安装过程。
    - 节省空间:紧凑的设计有助于减少电路板面积。
    - 高功率密度:在有限的空间内提供高效的电源管理。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - DC-DC转换器:IXTA48N20T系列被广泛用于DC-DC转换器中,特别是在需要高效能和高功率密度的应用场景中。
    - 电池充电器:在电池充电器中,这些MOSFET可以有效地控制充电电流,确保安全和高效的操作。
    - 开关模式电源:在开关模式电源中,它们可以显著提高整体效率并降低损耗。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热问题,确保散热片的正确安装和使用。
    - 在高频开关应用中,需考虑门极电荷的影响,合理选择门极电阻以优化开关速度和降低EMI。
    - 确保适当的电路布局和走线,以避免不必要的寄生电感和杂散电容。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些MOSFET提供多种封装选项(如TO-220、TO-3P、TO-263),适用于不同的安装需求。同时,厂商提供了详尽的技术支持,包括详细的安装指南和应用笔记。
    - 支持和服务:IXYS公司提供全面的支持服务,包括产品的保修政策、维修服务和技术咨询。对于复杂的应用场景,还可以联系授权分销商获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何正确选择门极电阻?
    - A:选择门极电阻时,需要考虑开关速度和EMI的影响。通常,较大的门极电阻会减慢开关速度但降低EMI,而较小的门极电阻会加快开关速度但可能增加EMI。可以根据具体应用场景选择合适的门极电阻值。
    2. Q:在高温环境下工作时需要注意什么?
    - A:在高温环境下,需特别注意散热问题。确保良好的散热措施,如使用大面积散热片或强制风冷,以保持MOSFET在安全的工作温度范围内。
    3. Q:如何处理浪涌电流?
    - A:通过合理设计电路并使用适当规格的保险丝或浪涌抑制器来处理浪涌电流。这可以有效保护MOSFET免受过高的浪涌电流损坏。

    总结和推荐


    综合评估:
    IXTA48N20T系列MOSFET具有出色的电流处理能力和高效的开关性能。其紧凑的设计和高功率密度使其成为现代电源管理系统中的理想选择。此外,该产品还具备优秀的热管理和抗浪涌电流能力,确保在严苛环境中稳定可靠地运行。
    推荐:
    鉴于上述特点和优势,IXTA48N20T系列MOSFET非常适合用于各类电源转换应用,尤其是在对高效能和高可靠性有严格要求的场合。我们强烈推荐在DC-DC转换器、电池充电器和其他类似的电源系统中采用这款产品。

IXTQ48N20T参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 48A
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@ 24A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.09nF@25V
栅极电荷 60nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
最大功率耗散 250W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 15.8mm*4.9mm*20.3mm
通用封装 TO-3P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTQ48N20T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTQ48N20T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTQ48N20T IXTQ48N20T数据手册

IXTQ48N20T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 22.4679
600+ ¥ 21.6864
900+ ¥ 21.2957
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