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IXFH16N120P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 660W(Tc) 30V 6.5V@1mA 120nC@ 10 V 1个N沟道 1.2KV 950mΩ@ 8A,10V 16A 6.9nF@25V TO-247AD 通孔安装
供应商型号: ZT-IXFH16N120P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH16N120P

IXFH16N120P概述


    产品简介


    IXFT16N120P 和 IXFH16N120P
    IXFT16N120P 和 IXFH16N120P 是由 IXYS 公司生产的高性能功率 MOSFET(场效应晶体管)。这两种型号均为 N-Channel 增强型模式的功率 MOSFET,具备快恢复二极管和雪崩额定值,非常适合高电压开关模式和共振模式电源、高电压脉冲应用、激光器和电火花点火器、RF 发生器以及其他高压转换应用。这两款产品适用于需要高效能、可靠性的高电压环境。

    技术参数


    以下是 IXFT16N120P 和 IXFH16N120P 的关键技术规格:
    | 参数 | 最大值 |

    | 集电极-发射极击穿电压(VDSS) | 1200 V |
    | 持续栅极电压(VGSS) | ± 30 V |
    | 漏极连续电流(ID25) | 16 A |
    | 饱和漏源导通电阻(RDS(on)) | ≤ 950 mΩ |
    | 反向恢复时间(trr) | ≤ 300 ns |
    此外,它们具有如下其他性能参数:
    - 极限参数:最大栅源电压(VGSM)为± 40 V,最大耗散功率(PD)为660 W。
    - 工作温度范围:工作结温(TJ)范围为-55°C 到 +150°C,存储温度范围(Tstg)为-55°C 到 +150°C。

    产品特点和优势


    IXFT16N120P 和 IXFH16N120P 具有以下特点和优势:
    - 国际标准封装:采用 TO-247 和 TO-268 封装,易于安装和空间节省。
    - 高功率密度:适用于需要高功率密度的应用场合。
    - 快速恢复二极管:内置的快恢复二极管使得这些 MOSFET 在高频开关应用中表现优异。
    - 低包封电感:进一步提升了其性能。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于以下场景:
    - 高电压开关模式电源:这些设备常用于服务器、通信设备和工业控制系统中的高效率转换器。
    - 激光器和电火花点火器:这些设备通常需要高瞬时电流和电压。
    在使用时,建议注意以下几点:
    - 确保在工作温度范围内使用,以防止过热损坏。
    - 使用适当的散热设计来保持器件的正常工作状态。

    兼容性和支持


    IXFT16N120P 和 IXFH16N120P 可以与其他 IXYS 的同类产品兼容,便于替换和扩展。IXYS 提供详细的安装指南和技术支持,确保用户能够顺利进行产品选择和安装。

    常见问题与解决方案


    在实际应用中,用户可能会遇到以下问题及相应的解决方案:
    - 问题:温度过高导致设备过热。
    解决方案:增加散热器并确保良好的通风。

    - 问题:电路稳定性不佳。
    解决方案:检查电路连接和负载条件,适当调整电路设计。

    总结和推荐


    IXFT16N120P 和 IXFH16N120P 是面向高电压应用的高性能功率 MOSFET。其高可靠性、快恢复时间和高功率密度使其成为多种高电压应用的理想选择。建议在高要求的电力电子应用中使用这些产品,并在设计时充分考虑散热和电气特性的优化。
    总的来说,IXFT16N120P 和 IXFH16N120P 在市场上具有显著的竞争优势,并且值得推荐给需要高效能高电压解决方案的工程师们。

IXFH16N120P参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
栅极电荷 120nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 8A,10V
配置 独立式withbuilt-indiode
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@1mA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 16A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.9nF@25V
通道数量 -
最大功率耗散 660W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH16N120P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH16N120P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH16N120P IXFH16N120P数据手册

IXFH16N120P封装设计

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