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IXTA14N60P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 36nC@ 10V 1个N沟道 600V 550mΩ@ 7A,10V 14A 2.5nF@25V TO-263-3 贴片安装 9.65mm*10.41mm*4.83mm
供应商型号: ZT-IXTA14N60P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA14N60P

IXTA14N60P概述

    # IXYS MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXYS MOSFET 是一种高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于各种电力电子系统中。本手册详细介绍了型号为IXTA14N60P、IXTP14N60P 和 IXTQ14N60P 的三种功率 MOSFET。这些器件采用增强型技术,具有出色的性能和可靠性,适用于开关电源、谐振电源、直流-直流转换器、激光驱动器以及交流和直流电机驱动等多种应用场合。

    技术参数


    以下是这些型号的主要技术规格和参数:
    | 参数名称 | 最大值(Max) | 典型值(Typ) | 最小值(Min) |
    ||
    | VDSS (击穿电压) | 600 V | 600 V | - |
    | ID25 (25°C下的连续漏极电流) | 14 A | - | - |
    | PD (最大耗散功率) | 300 W | - | - |
    | TJ (结温范围) | -55 ... +150 °C | - | - |
    | RDS(on) (导通电阻) | - | 450 mΩ | 550 mΩ |
    | Ciss (输入电容) | 2500 pF | - | - |
    | Crss (反向传输电容) | 13 pF | - | - |
    | td(on) (开通延迟时间) | 23 ns | - | - |
    | tr (上升时间) | 27 ns | - | - |
    | RthJC (热阻抗) | 0.42 °C/W | - | - |

    产品特点和优势


    这些 IXYS MOSFET 具备以下几个独特的功能和优势:
    - 国际标准封装:提供多种封装选项,以适应不同的安装需求。
    - 快速内部二极管:提供快速恢复能力,有助于提高效率。
    - 雪崩耐受性:能够承受高能量瞬态,增加系统可靠性。
    - 低导通电阻和栅极电荷:降低损耗,提高能效。
    - 低封装电感:减少寄生效应,提升高频性能。
    - 高功率密度:占用空间小,便于集成到紧凑的设计中。
    - 易于安装:支持标准焊接工艺,方便快捷。
    - 节省空间:适合于需要小型化设计的应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源和谐振电源:这些 MOSFET 能够在高频率下高效运行,非常适合开关电源设计。
    - 直流-直流转换器:其低 RDS(on) 和 QG 特性有助于减小转换器的损耗。
    - 激光驱动器:高速开关性能使其适用于快速变化的信号控制。
    - 电机驱动:无论是交流还是直流电机,IXYS MOSFET 都能满足严格的电流要求。
    使用建议
    - 电路设计优化:根据实际应用需求选择合适的散热方案,确保结温在安全范围内。
    - 合理布局:在电路板上合理布局 MOSFET,避免不必要的寄生电感和电容,提高系统的稳定性和可靠性。
    - 驱动电路:确保驱动电路有足够的驱动能力,以保证 MOSFET 的正常工作。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 与其他电子元器件具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的系统中。制造商提供了详细的安装指南和技术支持,用户可以通过官方渠道获取相关文档和支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题:如何确保 MOSFET 不会因过热而损坏?
    - 解决方案:正确选择散热方案,确保 MOSFET 工作时的温度不超过最大额定值。

    - 问题:MOSFET 开关速度慢怎么办?
    - 解决方案:检查电路布局,避免过长的走线;确保驱动器输出足够的驱动电流;调整栅极电阻以获得更佳的开关性能。

    总结和推荐


    总体而言,IXYS MOSFET 以其高功率密度、易安装和良好的系统兼容性在市场中表现出色。其低导通电阻和高速度使得它在开关电源、直流-直流转换器等领域有广泛的应用前景。强烈推荐给需要高效、可靠的电力电子系统的设计师和工程师。
    通过深入了解这些产品的技术参数和应用场景,可以更好地利用这些组件来构建高性能的电力电子产品。

IXTA14N60P参数

参数
通道数量 1
栅极电荷 36nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.5nF@25V
Id-连续漏极电流 14A
Rds(On)-漏源导通电阻 550mΩ@ 7A,10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 600V
长*宽*高 9.65mm*10.41mm*4.83mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA14N60P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA14N60P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA14N60P IXTA14N60P数据手册

IXTA14N60P封装设计

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