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IXFR64N50Q3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 HiperFET, Q3-Class系列, Vds=500 V, 45 A, ISOPLUS247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 8011452P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFR64N50Q3

IXFR64N50Q3概述

    IXFR64N50Q3 HiperFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFR64N50Q3 是一款高功率密度的 N 沟道增强型 HiperFET 功率 MOSFET,适用于多种应用领域。该产品采用了直接铜键合(DCB)基板,具有硅芯片上的隔离安装表面、低固有门电阻等特点,使其成为理想的直流到直流转换器、电池充电器、开关模式电源和温度及照明控制的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是 IXFR64N50Q3 的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - VDSS:500V
    - VDGR:500V
    - VGSS:±30V(连续),±40V(瞬态)
    - ID25(25°C):45A
    - IDM(25°C):160A(脉冲宽度受限于 TJM)
    - IA(25°C):64A
    - EAS(25°C):4J
    - dv/dt(IS ≤ IDM,VDD ≤ VDSS,TJ ≤ 150°C):50V/ns
    - PD(25°C):500W
    - TJ:-55 ... +150°C
    - TJM:150°C
    - Tstg:-55 ... +150°C
    - TL:300°C(1.6mm 距离外壳 10s)
    - TSOLD:260°C(塑料体 10s)
    - VISOL:2500V(50/60Hz,1分钟)
    - 特性值(TJ = 25°C,除非另有说明):
    - BVDSS:500V(VGS = 0V,ID = 1mA)
    - VGS(th):3.5 ~ 6.5V(VDS = VGS,ID = 4mA)
    - IGSS:±200nA(VGS = ±30V,VDS = 0V)
    - IDSS:50μA(TJ = 125°C)
    - RDS(on):94mΩ(VGS = 10V,ID = 32A,注释 1)
    - Ciss:6950pF
    - Coss:937pF
    - Crss:93pF
    - RGi:0.13Ω
    - td(on):36ns
    - tr:11ns
    - td(off):46ns
    - tf:9ns
    - Qg(on):145nC
    - Qgd:67nC
    - RthJC:0.25°C/W
    - RthCS:0.15°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度
    - 易于安装
    - 硅芯片直接铜键合(DCB)基板
    - 隔离安装表面
    - 低固有门电阻
    - 2500V~ 电气隔离
    - 快速固有整流器
    - 雪崩击穿额定值
    这些特点使 IXFR64N50Q3 在各种应用中表现出色,如直流到直流转换器、电池充电器和开关模式电源,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    IXFR64N50Q3 主要应用于以下几个方面:
    - 直流到直流转换器
    - 电池充电器
    - 开关模式和共振模式电源
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制
    对于这些应用,建议在设计时考虑以下几点:
    - 确保散热良好,特别是在高功率运行条件下。
    - 使用适当的栅极驱动电路以避免过电压和欠压问题。
    - 进行详细的应用测试,以确保满足特定应用需求。

    5. 兼容性和支持


    IXFR64N50Q3 具有良好的电气隔离特性,适用于多种应用场景。此外,制造商提供详尽的技术支持和维护服务,帮助用户解决使用过程中可能遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何避免过电压?
    解决方案: 使用合适的栅极电阻来限制栅极电流,避免过高电压对 MOSFET 的损害。
    - 问题:如何处理过热问题?
    解决方案: 确保使用良好的散热系统,例如散热片或风扇,以降低工作温度。
    - 问题:如何减少电磁干扰?
    解决方案: 使用滤波器和屏蔽技术来减少电磁干扰的影响。

    7. 总结和推荐


    IXFR64N50Q3 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 HiperFET 功率 MOSFET,具有高功率密度、易于安装和电气隔离等显著优势。适用于多种电力转换和控制应用。推荐用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
    综上所述,IXFR64N50Q3 是一款值得信赖的产品,非常适合需要高性能 MOSFET 的各类应用。

IXFR64N50Q3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.95nF@25V
栅极电荷 145nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 45A
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 500W(Tc)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6.5V@4mA
Rds(On)-漏源导通电阻 95mΩ@ 32A,10V
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.34mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFR64N50Q3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFR64N50Q3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFR64N50Q3 IXFR64N50Q3数据手册

IXFR64N50Q3封装设计

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