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IXFN32N80P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 625W(Tc) 30V 5V@8mA 150nC@ 10 V 1个N沟道 800V 270mΩ@ 16A,10V 29A 8.82nF@25V SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.23mm*25.42mm*9.6mm
供应商型号: ZT-IXFN32N80P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFN32N80P

IXFN32N80P概述

    PolarHV HiPerFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    PolarHV HiPerFET 是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为高电压、大电流的应用设计。其核心特点是具有极低的导通电阻(RDS(on))和快速开关性能。PolarHV HiPerFET 主要应用于电源转换、电机驱动、太阳能逆变器和其他高效率电力电子系统中。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压 (VDSS): 800 V
    - 漏极连续电流 (ID25): 25 A
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤ 270 mΩ
    - 快速体二极管恢复时间 (trr): ≤ 250 ns
    - 最大额定值
    - 额定电压 (VDSS): 800 V
    - 栅源电压 (VGSS): 连续 ±30 V,瞬态 ±40 V
    - 最大漏极电流 (IDM): 250 A
    - 能量耐受能力 (EAS): 5 J
    - 散热功率 (PD): 625 W
    - 电气特性
    - 输入电容 (Ciss): 8820 nF
    - 输出电容 (Coss): 660 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 22 pF
    - 门极充电电荷 (Qg(on)): 150 nC
    - 正向电压降 (VSD): 1.5 V
    - 工作环境
    - 结温 (TJ): -55 ... +150°C
    - 环境温度 (Tstg): -55 ... +150°C
    - 热阻 (RthJC): 0.2 °C/W
    - 热阻 (RthCS): 0.05 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 国际标准封装:采用SOT-227B封装,符合行业标准。
    - 高性能封装材料:封装材料满足UL 94V-0阻燃等级,提高了产品的可靠性和安全性。
    - 快速恢复二极管:具备出色的恢复特性和低损耗特性。
    - 低包内电感:容易驱动和保护,适合高频应用。
    - 易于安装:方便快捷的安装方式。
    - 节省空间:紧凑的设计有助于节省PCB空间。
    - 高功率密度:高效的能源转换能力和高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    PolarHV HiPerFET 主要应用于需要高电压、大电流且对开关速度要求高的应用领域,如:
    - 电源转换器
    - 电机驱动器
    - 太阳能逆变器
    - 通信设备电源管理
    使用建议:
    - 在选择驱动电路时,应确保驱动器能够提供足够的栅极充电电流以缩短开关时间。
    - 保持良好的散热措施,特别是在高温环境下使用时,应增加外部冷却系统以避免过热。

    5. 兼容性和支持


    PolarHV HiPerFET 与市面上大多数标准电源管理和驱动电路兼容。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括应用指南、技术文档和在线技术支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:过载损坏
    - 解决方案:增加散热措施,例如使用外部散热器。

    - 问题二:高频操作下发热严重
    - 解决方案:选择合适的驱动频率并增加散热设计。
    - 问题三:开关时间过长
    - 解决方案:选择合适的驱动电路,增加栅极充电电流以缩短开关时间。

    7. 总结和推荐


    PolarHV HiPerFET 是一款出色的功率MOSFET,具备优秀的电气特性和高效的工作性能。其在高电压和高电流应用中的表现尤为突出,同时具备易安装、高可靠性的特点。建议在需要高效率和高性能的电力电子系统中使用PolarHV HiPerFET。

IXFN32N80P参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@8mA
栅极电荷 150nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@ 16A,10V
配置 独立式双源
最大功率耗散 625W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 29A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 800V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.82nF@25V
Vgs-栅源极电压 30V
长*宽*高 38.23mm*25.42mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN32N80P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN32N80P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFN32N80P IXFN32N80P数据手册

IXFN32N80P封装设计

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