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IXTR36P15P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 150W(Tc) 20V 5V@ 250µA 55nC@ 10 V 1个P沟道 150V 120mΩ@ 18A,10V 22A 2.95nF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: IXTR36P15P
供应商: 国内现货
标准整包数: 240
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTR36P15P

IXTR36P15P概述


    产品简介


    IXTC36P15P 和 IXTR36P15P 是 P 沟道增强型 MOSFET(场效应晶体管),专为高压应用设计。它们由 IXYS 公司生产,具备高可靠性、高功率密度和优异的电气隔离性能。这些器件主要用于高边开关、推挽放大器、直流斩波器等应用场合。

    技术参数


    以下是 IXTC36P15P 和 IXTR36P15P 的关键技术参数:
    - 电压规格:
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \): -150V
    - 最大栅源电压 \( V{GSS} \): ±20V (连续),±30V (瞬态)

    - 电流规格:
    - 最大持续漏极电流 \( I{D25} \): -22A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -100A (TC = 25°C)
    - 最大绝对漏极电流 \( I{A} \): -36A

    - 电气特性:
    - 最大栅漏击穿电压 \( BVDSS \): -150V
    - 栅阈值电压 \( V{GS(th)} \): -3.0V ~ -5.0V
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): ≤120mΩ (VGS = -10V, ID = -18A)
    - 输入电容 \( C{iss} \): 2950pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 615pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 115pF

    - 热特性:
    - 最高结温 \( T{J} \): -55°C ~ +175°C
    - 热阻 \( R{thJC} \): 1.00°C/W
    - 热阻 \( R{thCS} \): 0.15°C/W

    产品特点和优势


    - 直接铜键合(DCB)基板上的硅芯片:提供了更好的散热性能和更高的可靠性。
    - 隔离安装表面:电气隔离特性使这些器件适用于高压应用。
    - 2500V 电气隔离:确保器件在高压环境下安全可靠。
    - 扩展的故障安全操作区域(FBSOA):提高系统的稳定性和可靠性。
    - 快速内在二极管:适合高频开关应用。
    - 低 \( R{DS(on)} \) 和 \( Q{G} \):减少损耗,提高能效。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 器件广泛应用于高边开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器和电池充电器等应用中。为了确保最佳性能和长期稳定性,建议遵循以下几点:
    - 选择适当的散热措施:由于这些器件的功耗较大,务必确保良好的散热以避免过热。
    - 合理布局电路:在设计电路时,要考虑到寄生电容和电感的影响,以避免不必要的振荡。
    - 避免瞬态冲击:通过在电路中增加保护电路,防止器件受到瞬态电压冲击。

    兼容性和支持


    IXTC36P15P 和 IXTR36P15P 均具备出色的兼容性,可与各种标准电路板和电源系统配套使用。IXYS 提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的用户手册和技术文档,以帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:过热现象严重
    - 解决方案: 使用更大的散热片或散热器,确保良好的热管理。

    - 问题:驱动信号不稳定
    - 解决方案: 使用高质量的驱动器,并尽量减小驱动线缆的长度以减少干扰。

    总结和推荐


    综上所述,IXTC36P15P 和 IXTR36P15P 是高性能、高可靠的 P 沟道增强型 MOSFET,具有诸多独特的优势,特别适用于需要高电压、高电流和良好电气隔离的应用场合。这些器件的高效能、可靠性和易于使用的特点使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我强烈推荐这些产品给需要这些特性的应用工程师和系统设计师。

IXTR36P15P参数

参数
栅极电荷 55nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 22A
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 18A,10V
Vds-漏源极击穿电压 150V
最大功率耗散 150W(Tc)
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.95nF@25V
配置 -
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTR36P15P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTR36P15P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTR36P15P IXTR36P15P数据手册

IXTR36P15P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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480+ ¥ 63.3071
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