处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 100W(Tc) 20V 23.7nC@ 5 V 1个N沟道 500V 2.3Ω@ 800mA,0V 1.6A 645pF@25V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTP1R6N50D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2概述

    IXTY1R6N50D2, IXTA1R6N50D2 和 IXTP1R6N50D2 电子元器件技术手册

    产品简介


    IXTY1R6N50D2、IXTA1R6N50D2 和 IXTP1R6N50D2 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件具有低导通电阻(RDS(on)),广泛应用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器和有源负载等领域。由于具备国际标准封装,这些器件可以方便地安装在各种电路板上,并且其模塑环氧树脂符合 UL94V-0 阻燃等级分类。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSX:500V(TJ = 25°C 至 150°C)
    - VGSX:连续±20V
    - VGSM:瞬态±30V
    - PD:TC = 25°C 时 100W
    - TJ:-55...+150°C
    - TJM:150°C
    - Tstg:-55...+150°C
    - TL:距离外壳 1.6mm(0.062 英寸)10 秒内 300°C
    - TSOLD:塑料外壳 10 秒内 260°C
    - Md:安装扭矩(TO-220)1.13 / 10 Nm/lb.in.
    - 重量:TO-252 0.35g,TO-263 2.50g,TO-220 3.00g
    - 典型特征值:
    - BVDSX:VGS = -5V,ID = 250μA 时为 500V
    - VGS(off):VDS = 25V,ID = 100μA 时为 -2.0 至 -4.0V
    - IDSX(off):VDS = VDSX,VGS = -5V 时为 2μA;TJ = 125°C 时为 25μA
    - RDS(on):VGS = 0V,ID = 0.8A,注 1 时为 2.3Ω
    - ID(on):VGS = 0V,VDS = 25V,注 1 时为 1.6A

    产品特点和优势


    1. 常开模式:这些 MOSFET 处于常开状态,简化了电路设计。
    2. 国际标准封装:兼容标准电路板安装要求。
    3. 阻燃性:模塑环氧树脂符合 UL94V-0 阻燃等级分类。
    4. 易安装:简化安装过程,提高生产效率。
    5. 空间节约:小体积设计节省电路板空间。
    6. 高功率密度:适用于需要高功率密度的应用。

    应用案例和使用建议


    这些器件常用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器和有源负载等场合。在具体应用中,用户需要注意以下几个方面:
    1. 在启动电路中,可以通过控制 MOSFET 的栅极电压来实现电路的启动和停止。
    2. 在音频放大器中,通过调整栅极电压来控制功率输出,以达到最佳音质效果。
    3. 在电流调节器中,可以通过调节栅极电压来控制输出电流,实现精确的电流调节。
    建议在使用时遵循制造商提供的安装指南,并确保正确连接所有引脚。此外,在设计过程中应注意避免过热,特别是在高电流应用中,可以通过外部散热片来提高散热效果。

    兼容性和支持


    这些器件与市场上大多数标准 PCB 安装工艺兼容。IXYS 提供详细的技术文档和支持服务,包括安装指南、测试报告和技术咨询。用户可通过制造商的网站获取最新的技术文档和软件工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压不稳定。
    - 解决方案:检查栅极和源极之间的接线,确保连接牢固,没有短路或断路。
    2. 问题:器件过热。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,如增加散热片或使用外部冷却系统。
    3. 问题:输出电流不足。
    - 解决方案:检查栅极电压是否足够高,调整电源电压或增加栅极驱动电路的电流。

    总结和推荐


    IXTY1R6N50D2、IXTA1R6N50D2 和 IXTP1R6N50D2 是高性能 N 沟道增强型 MOSFET,特别适合需要高功率密度和良好散热的应用。其独特的常开模式和易安装设计使其在多种电路设计中具有显著的优势。总的来说,这是一款值得推荐的产品。

IXTP1R6N50D2参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 100W(Tc)
栅极电荷 23.7nC@ 5 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 1.6A
Vds-漏源极击穿电压 500V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 645pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.3Ω@ 800mA,0V
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP1R6N50D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP1R6N50D2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP1R6N50D2 IXTP1R6N50D2数据手册

IXTP1R6N50D2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.6853 ¥ 22.5026
库存: 99
起订量: 25 增量: 50
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 22.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504