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IXTP6N100D2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 95nC@ 5 V 1个N沟道 1KV 2.2Ω@ 3A,0V 6A 2.65nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.83mm*16mm
供应商型号: ZT-IXTP6N100D2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP6N100D2

IXTP6N100D2概述


    产品简介


    IXTA6N100D2, IXTP6N100D2 和 IXTH6N100D2 是由 IXYS 公司生产的 N-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件具有高达1000V的漏源电压(VDSX)和超过6A的漏电流(ID),适用于音频放大器、启动电路、保护电路、斜坡发生器、电流调节器和有源负载等多种应用。MOSFET 的特点是具有耐高电压和大电流的能力,非常适合于高压和高频应用场合。

    技术参数


    - 漏源电压(VDSX): 1000V
    - 栅极-源极电压(VGS): 持续 20V
    - 最大功率耗散(PD): 300W (在 TC=25°C)
    - 工作温度范围(TJ): -55°C 到 +150°C
    - 最大结温(TJM): 150°C
    - 储存温度范围(Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 引脚最高焊接温度(TL): 300°C
    - 焊接时间最大温度(TSOLD): 260°C (距离管壳1.6mm处10秒)
    - 安装扭矩(Md): 1.13 Nm / 10 lb.in (TO-220 & TO-247)

    产品特点和优势


    1. 易于安装: 具备标准化封装,能够轻松适应不同的安装需求。
    2. 空间节约: 尺寸紧凑,有助于减少设计占用的空间。
    3. 高功率密度: 在有限的空间内提供了卓越的功率处理能力。
    4. 无阻型模式: 在没有外部驱动信号的情况下保持导通状态。

    应用案例和使用建议


    IXTA6N100D2、IXTP6N100D2 和 IXTH6N100D2 可广泛应用于多种电子设备。例如,在音频放大器中,这些 MOSFET 可以实现高效能量转换;在启动电路中,它们可以稳定提供所需电流。此外,在电源管理应用中,这些 MOSFET 能够有效降低功耗并提高系统效率。
    使用建议:
    - 在选择 MOSFET 时,需考虑其工作环境温度,确保符合器件的最大结温和储存温度要求。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,避免因过热导致器件损坏。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 符合国际标准封装,便于与其他器件配合使用。IXYS 公司还提供了详尽的技术支持文档和客户支持服务,帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确安装 MOSFET?
    解答:按照推荐的安装扭矩进行安装,确保紧固件的扭矩在推荐范围内,以避免损坏。

    - 问题:在高温下工作时,如何防止过热?
    解答:采用有效的散热措施,如使用散热片或散热器,确保 MOSFET 处于安全的操作温度范围内。

    总结和推荐


    IXTA6N100D2、IXTP6N100D2 和 IXTH6N100D2 这款 N-沟道 MOSFET 非常适合需要高电压和大电流的应用。其独特的无阻型模式、易安装特性以及出色的功率密度使其成为众多应用的理想选择。如果你正在寻找高性能、可靠且易于集成的 MOSFET,强烈推荐使用 IXYS 的这一系列器件。

IXTP6N100D2参数

参数
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 1KV
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.65nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 1
栅极电荷 95nC@ 5 V
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 3A,0V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.66mm*4.83mm*16mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP6N100D2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP6N100D2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP6N100D2 IXTP6N100D2数据手册

IXTP6N100D2封装设计

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