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IXFK220N15P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 1.25KW(Tc) 20V 4.5V@8mA 162nC@ 10 V 1个N沟道 150V 9mΩ@ 500mA,10V 220A 15.4nF@25V TO-264-3 通孔安装 19.96mm*5.13mm*26.16mm
供应商型号: IXFK220N15P
供应商: 国内现货
标准整包数: 250
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFK220N15P

IXFK220N15P概述

    # 高性能N-Channel Enhancement Mode MOSFET — IXFK220N15P/IXFX220N15P

    产品简介


    IXFK220N15P 和 IXFX220N15P 是由IXYS公司生产的高性能N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)。这两款MOSFET具有出色的电气特性和可靠性,适用于广泛的工业应用,包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式电源、直流斩波器、交流和直流电机驱动以及不间断电源系统。它们特别适合高功率密度和高速功率开关应用。

    技术参数


    - 最大额定值
    - VDSS (栅极至源极电压):150 V
    - ID25 (在25℃下的电流能力):220 A
    - PD (耗散功率):1250 W
    - TJ (结温):-55 °C 到 +175 °C
    - Tstg (存储温度范围):-55 °C 到 +175 °C
    - TSOLD (塑料体温度):260 °C
    - 特性值
    - RDS(on) (导通电阻):在10V栅极电压下,导通电流为0.5 ID25时,典型值为9 mΩ
    - trr (反向恢复时间):≤ 200 ns
    - Coss (输出电容):在0V栅极电压下,25V漏极电压时,1 MHz频率下,典型值为3040 pF
    - Qg (栅极电荷):在10V栅极电压下,漏极电压为0.5 VDSS时,典型值为162 nC

    产品特点和优势


    IXFK220N15P 和 IXFX220N15P 的主要优势在于其高功率密度、低导通电阻(RDS(on))、快速的反向恢复时间和易于安装。这些特性使得它们非常适合于需要高效率和高可靠性的应用场合。此外,它们还具有较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),这有助于减少驱动损耗和提高开关速度。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些MOSFET常用于以下几个场景:
    - 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,IXFK220N15P 和 IXFX220N15P 可以提供高效且稳定的电压转换。
    - 电池充电器:在电池充电器中,这些MOSFET可以实现快速和高效的充电过程。
    - 开关模式电源:在开关模式电源中,这些MOSFET可以提高电源转换效率并减少热量产生。
    使用建议
    为了充分发挥这些MOSFET的性能,建议遵循以下几点使用建议:
    - 散热设计:由于高功率密度,建议在应用中采用良好的散热措施,以避免过热损坏。
    - 驱动电路设计:选择合适的驱动电路来减少驱动损耗和开关时间,特别是在高频应用中。
    - 保护电路:添加适当的保护电路,如过流保护和瞬态电压保护,以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXFK220N15P 和 IXFX220N15P 适用于多种封装和应用场景,且与现有电源模块具有良好的兼容性。
    - 支持和服务:IXYS公司提供了详细的技术文档和支持服务,包括常见问题解答和故障排除指南。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免MOSFET过热?
    解决方案:在设计中加入有效的散热机制,例如使用散热片或散热风扇。此外,合理安排电路布局,以确保良好的热分布。
    问题2:如何降低栅极电荷引起的损耗?
    解决方案:选择合适的栅极驱动器,优化驱动电阻,减少开关过程中的能量损耗。同时,使用低Qg的MOSFET也可以减少驱动损耗。

    总结和推荐


    综上所述,IXFK220N15P 和 IXFX220N15P 在高功率密度、低导通电阻和快速开关特性方面表现出色。它们在多种工业应用中展现出了卓越的性能和可靠性。对于寻求高效能功率管理解决方案的设计工程师来说,IXFK220N15P 和 IXFX220N15P 是非常值得推荐的选择。

IXFK220N15P参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 220A
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 15.4nF@25V
栅极电荷 162nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 150V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 500mA,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
长*宽*高 19.96mm*5.13mm*26.16mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFK220N15P厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFK220N15P数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFK220N15P IXFK220N15P数据手册

IXFK220N15P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ ¥ 172.2047
500+ ¥ 166.2149
750+ ¥ 163.2201
库存: 3100
起订量: 250 增量: 250
交货地:
最小起订量为:250
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