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IXTK120N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: IXYS N沟道增强型MOS管 X2-Class系列, Vds=650 V, 120 A, TO-264P封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 9171441
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTK120N65X2

IXTK120N65X2概述


    产品简介


    IXYS Corporation的IXTK120N65X2和IXTX120N65X2是N沟道增强型功率MOSFET,设计用于高压、高功率的应用场景。这些产品具备卓越的击穿电压(BVDSS)和低导通电阻(RDS(on)),适用于多种电力转换和控制应用。它们在电源转换、DC-DC变换器、PFC电路、交流和直流电机驱动以及机器人伺服控制系统等领域展现出广泛的应用前景。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 击穿电压 (VDSS): 650V
    - 漏极-源极连续电流 (ID25): 120A
    - 最大功耗 (PD): 1250W
    - 结温范围 (TJ): -55°C 到 +150°C
    - 储存温度范围 (Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 典型值
    - 击穿电压 (BVDSS): 650V
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤23mΩ @ VGS=10V, ID=60A
    - 门极输入电阻 (RGi): 0.77Ω
    - 输入电容 (Ciss): 13.6nF
    - 输出电容 (Coss): 9500pF
    - 反馈电容 (Crss): 8.9pF
    - 门级电荷 (Qg(on)): 230nC
    - 热阻 (RthJC): 0.10°C/W
    - 热阻 (RthCS): 0.15°C/W

    产品特点和优势


    - 国际标准封装: 提供多种封装选择,满足不同应用场景需求。
    - 低栅极电荷 (Low QG): 有效降低开关损耗。
    - 雪崩额定: 在恶劣条件下依然可靠运行。
    - 低寄生电感: 改善电磁干扰 (EMI) 性能。
    - 高功率密度: 在有限的空间内实现更高的功率输出。
    - 易于安装: 简化装配过程,提高生产效率。
    - 节省空间: 小巧尺寸适合紧凑型设计。

    应用案例和使用建议


    这些MOSFET常用于高频开关电源中,例如数据中心、通信设备及工业自动化系统中的电源模块。使用时应注意散热管理,以确保结温不超出额定范围。在电路设计中,建议采用有效的热管理系统,如增加散热片或液冷装置,以延长产品寿命和提高可靠性。此外,在选择外部驱动电阻时,需根据Qg(on)参数调整,以获得最佳开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IXTK120N65X2和IXTX120N65X2可以与多种控制器和驱动电路兼容,适用于广泛的电力电子系统。
    - 支持: IXYS公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 检查Qg(on)参数,适当调整外部驱动电阻。
    - 问题: 散热不足导致过热。
    - 解决方案: 优化散热设计,考虑使用散热片或液冷系统。
    - 问题: 工作温度超出额定范围。
    - 解决方案: 重新评估应用环境,必要时采取外部冷却措施。

    总结和推荐


    综上所述,IXTK120N65X2和IXTX120N65X2是高性能的N沟道增强型MOSFET,适合于高功率、高频应用场合。其优越的性能指标和广泛的应用范围使其成为众多电力电子应用的理想选择。建议在设计阶段充分考虑其技术参数和使用环境,确保产品能够稳定可靠地运行。因此,对于需要高效、可靠的电力转换和控制应用,强烈推荐使用IXTK120N65X2和IXTX120N65X2。

IXTK120N65X2参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 1.25KW(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@8mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13.6nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 60A,10V
通道数量 -
栅极电荷 240nC@ 10 V
长*宽*高 20.3mm(长度)*5.3mm(高度)
通用封装 TO-264P
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTK120N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTK120N65X2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTK120N65X2 IXTK120N65X2数据手册

IXTK120N65X2封装设计

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