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IXTK46N50L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 700W(Tc) 30V 6V@ 250µA 260nC@ 15 V 1个N沟道 500V 160mΩ@ 500mA,20V 46A 7nF@25V TO-264-3 通孔安装 20.29mm*5.31mm*26.59mm
供应商型号: IXTK46N50L
供应商: 国内现货
标准整包数: 300
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTK46N50L

IXTK46N50L概述


    产品简介


    产品名称:IXTK46N50L / IXTX46N50L N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    产品类型:
    - 晶体管类型: N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道功率MOSFET)
    - 封装类型: TO-264 和 PLUS247
    主要功能:
    - 线性操作设计: 适合线性应用,提供良好的线性输出特性。
    - 高电流处理能力: 最大漏极电流(ID)可达46A。
    - 低导通电阻: 最大导通电阻(RDS(on))为0.16Ω,适用于低损耗应用。
    应用领域:
    - 程序控制负载
    - 电流调节器
    - 直流-直流转换器
    - 电池充电器
    - 直流斩波器
    - 温度和照明控制

    技术参数


    | 参数 | 值 |

    | 漏源击穿电压(VDSS) | 500V |
    | 源极-漏极电容(Ciss)| 7000pF |
    | 漏极-源极电容(Coss)| 900pF |
    | 漏极-栅极电容(Crss)| 170pF |
    | 最大漏极电流(ID) | 46A(连续),100A(脉冲) |
    | 最大栅极驱动电流(IGSS) | ±200nA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 0.16Ω |
    | 最高工作温度(TJ) | -55°C 至 +150°C |
    | 最大热阻(RthJC) | 0.18°C/W |
    | 最大热阻(RthCS) | 0.15°C/W |

    产品特点和优势


    特点:
    - 增强型N沟道设计: 提供高效且易于控制的线性操作。
    - 国际标准封装: TO-264 和 PLUS247,适合广泛的工业应用。
    - 无钳位感性开关(UIS): 具备高可靠性,适用于感性负载环境。
    - 环氧树脂材料符合UL 94 V-0阻燃等级: 提高安全性和耐用性。
    优势:
    - 易于安装: 标准封装便于组装。
    - 节省空间: 高集成度设计减少了电路板的空间需求。
    - 高功率密度: 适合在有限空间内实现高性能应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在电池充电器中,利用其高效率和低损耗特性来提高系统整体性能。
    - 在电源转换器中,其低导通电阻(RDS(on))有助于减少功耗,从而延长电池寿命。
    - 在照明控制系统中,通过精确的电流调节实现高效的调光效果。
    使用建议:
    - 确保适当的散热管理以维持最高性能。
    - 在进行高压测试时,应注意遵守相关的安全规定,以防止触电危险。
    - 在应用中合理选择栅极电阻以优化开关速度和减少电磁干扰。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准TO-264 和 PLUS247 封装兼容,可以轻松替换现有的MOSFET。
    支持:
    - IXYS公司提供详尽的技术文档和应用指南。
    - 客户可以联系IXYS公司的技术支持团队,以获取更多帮助和指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中的过压现象 | 使用合适的栅极电阻来限制开关速度。 |
    | 散热不良导致的工作不稳定 | 使用散热片或其他有效的散热方式来改善散热。 |
    | 感应负载下的不稳定性 | 添加合适的缓冲电路以吸收瞬态能量。 |

    总结和推荐


    综述:
    IXTK46N50L / IXTX46N50L N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、可靠且易于使用的功率MOSFET。它的高电流处理能力和低导通电阻使其在多种应用中表现出色。对于需要高效能、紧凑设计和长寿命的应用,这款MOSFET是一个理想的选择。
    推荐:
    我们强烈推荐IXTK46N50L / IXTX46N50L用于任何需要高电流和低损耗的应用场合。其多功能性和出色的性能使其成为许多领域的优选解决方案。

IXTK46N50L参数

参数
Id-连续漏极电流 46A
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@ 250µA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 260nC@ 15 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7nF@25V
最大功率耗散 700W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 500V
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 500mA,20V
长*宽*高 20.29mm*5.31mm*26.59mm
通用封装 TO-264-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IXTK46N50L厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTK46N50L数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTK46N50L IXTK46N50L数据手册

IXTK46N50L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ ¥ 161.48
600+ ¥ 161.48
1200+ ¥ 161.48
2400+ ¥ 161.48
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