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IXTH130N20T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 830W(Tc) 20V 5V@1mA 150nC@ 10 V 1个N沟道 200V 16mΩ@ 500mA,10V 130A 8.8nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: ZT-IXTH130N20T
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH130N20T

IXTH130N20T概述

    IXTQ130N20T 和 IXTH130N20T Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXTQ130N20T 和 IXTH130N20T 是由 IXYS 公司生产的 N-Channel 增强模式功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备快速固态整流器(Fast Intrinsic Rectifier)。它们适用于广泛的直流到直流转换器、电池充电器、开关电源(包括谐振模式)、直流斩波器、交流电机驱动器及不间断电源等应用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏源击穿电压 VDSS | 200 V
    | 漏极连续电流 ID | 130 A
    | 漏极脉冲电流 IDM | 320 A
    | 热阻 RthJC | 0.18 °C/W
    | 热阻 RthCS | 0.25 °C/W
    | 栅漏电容 Ciss | 8800 pF
    | 栅源电容 Cgs | 44 nC
    | 栅漏电容 Cgd | 42 nC

    产品特点和优势


    1. 高电流处理能力:IXTQ130N20T 和 IXTH130N20T 的额定漏极电流为 130A,在短时间内可以承受高达 320A 的电流。
    2. 雪崩击穿耐受:这些 MOSFET 在额定条件下具备出色的雪崩击穿耐受性,提高了电路的可靠性。
    3. 低导通电阻 RDS(on):典型值仅为 16mΩ,使得在高电流工作时发热显著减少。
    4. 快速固态整流器:内置的快速固态整流器显著提升了工作效率。

    应用案例和使用建议


    1. 直流到直流转换器:作为开关元件,实现高效能的电压变换。
    2. 电池充电器:可提供稳定的充电电流,提高充电效率。
    3. 开关电源:在谐振模式下使用,能够进一步提升效率。
    4. 建议:由于这些 MOSFET 的漏源电容较高,需要特别注意并联电容器的选用,以确保高频工作的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 可与其他合适的 N-Channel 增强模式 MOSFET 兼容。IXYS 提供全面的技术支持和维修服务,确保用户能够在设计和使用过程中获得充分的支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何选择合适的栅极电阻?
    - A: 根据应用需求选择,推荐值通常为 2Ω 到 5Ω 之间。
    2. Q: 高温环境下如何保持性能?
    - A: 使用良好的散热措施,并确保温度不超过规定的最大值。
    3. Q: 如何确保电容匹配正确?
    - A: 根据栅极电容和源极电容的值进行匹配,建议查阅具体应用指南。

    总结和推荐


    总体而言,IXTQ130N20T 和 IXTH130N20T 功率 MOSFET 提供了卓越的性能和可靠性,非常适合高电流应用。它们独特的低导通电阻和雪崩击穿耐受性使其在市场上具有强大的竞争力。对于需要高效、可靠解决方案的设计工程师来说,这些 MOSFET 是理想的选择。强烈推荐用于需要高性能电力转换的应用场景。

IXTH130N20T参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 500mA,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@1mA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 独立式
栅极电荷 150nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.8nF@25V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 830W(Tc)
Id-连续漏极电流 130A
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH130N20T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH130N20T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH130N20T IXTH130N20T数据手册

IXTH130N20T封装设计

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