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IXFH22N65X2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 390W(Tc) 30V 5.5V@1.5mA 38nC@ 10V 1个N沟道 650V 160mΩ@ 11A,10V 22A 2.31nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXFH22N65X2
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH22N65X2

IXFH22N65X2概述

    # IXFA22N65X2/IXFP22N65X2/IXFH22N65X2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    IXFA22N65X2、IXFP22N65X2 和 IXFH22N65X2 是由 IXYS 公司生产的高性能 N-Channel Enhancement Mode MOSFET。这些产品主要用于开关模式电源、谐振模式电源、直流-直流转换器、功率因数校正电路、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制等领域。其国际标准封装形式和卓越的电气性能使其成为广泛应用于工业和消费电子市场的理想选择。

    技术参数


    基本参数
    - 漏源电压 (VDSS): 650V
    - 连续漏电流 (ID25): 22A(TC = 25°C)
    - 导通电阻 (RDS(on)): ≤ 145mΩ(VGS = 10V,ID = 0.5 ID25
    最大额定值
    - 漏源击穿电压 (VDSS): 650V(TJ = 25°C 至 150°C)
    - 栅源击穿电压 (VGS): ±30V(连续), ±40V(瞬时)
    - 脉冲电流 (IDM): 44A(TC = 25°C)
    - 最大功率耗散 (PD): 390W(TC = 25°C)
    电气特性
    - 阈值电压 (VGS(th)): 3.5V 至 5.0V(TJ = 25°C)
    - 反向传输电容 (Coss): 1450pF(VGS = 0V,VDS = 25V,f = 1MHz)
    - 输入电容 (Ciss): 2190pF
    - 输出电容 (Coss): 1450pF
    - 栅电荷 (QG): 37nC(VGS = 10V,VDS = 325V,ID = 11A,IG = 10mA)
    工作环境
    - 结温 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 储存温度 (Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 高功率密度: 高效率和低导通电阻使得这些 MOSFET 在有限的空间内提供更大的功率。
    - 易于安装: 国际标准封装使得安装更加简便,减少了安装过程中的复杂性。
    - 节省空间: 通过优化设计,这些 MOSFET 可以实现更紧凑的设计,提高整体系统的空间利用率。
    - 雪崩耐受能力: 具备雪崩击穿保护,适用于严苛的工作环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关模式电源: 适用于高效率的直流到直流转换。
    - 直流电机驱动: 可用于工业自动化中的直流电机控制系统。
    - 机器人和伺服控制: 提供高可靠性与高效能。
    使用建议
    - 散热管理: 鉴于其高功率耗散特性,必须采取有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    - 安装力控制: 确保安装过程中施加正确的力,避免损坏引脚。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 支持多种国际标准封装形式,确保了广泛的适用性和易用性。IXYS 公司提供了详细的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和应用这些产品。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备过热
    - 解决方案: 增加散热措施,例如使用散热片或散热风扇。
    2. 问题: 安装后设备不工作
    - 解决方案: 检查安装力是否正确,确认焊接质量。
    3. 问题: 性能不稳定
    - 解决方案: 确保接线正确,重新测试电气连接。

    总结和推荐



    总结


    IXFA22N65X2、IXFP22N65X2 和 IXFH22N65X2 是高性能的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有高功率密度、易于安装和节省空间的特点。这些产品在开关模式电源、直流-直流转换器和电机驱动等应用中表现出色。
    推荐
    鉴于其卓越的电气特性和广泛的应用范围,强烈推荐这些 MOSFET 用于需要高效率和可靠性的应用场景。同时,制造商提供的全面支持和服务也为用户的选型和使用提供了有力保障。

IXFH22N65X2参数

参数
最大功率耗散 390W(Tc)
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 38nC@ 10V
Id-连续漏极电流 22A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.31nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@1.5mA
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 11A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 独立式
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH22N65X2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH22N65X2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH22N65X2 IXFH22N65X2数据手册

IXFH22N65X2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 13.2483
900+ ¥ 12.7875
1350+ ¥ 12.5571
库存: 12570
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