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IXFH12N90

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 4.5V@4mA 155nC@ 10 V 1个N沟道 900V 900mΩ@ 6A,10V 12A 4.2nF@25V TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXFH12N90
供应商: 国内现货
标准整包数: 60
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH12N90

IXFH12N90概述


    产品简介


    本产品为IXYS公司的HiPerFETTM系列高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),是专为高频率开关应用设计的N沟道增强型MOSFET。该系列产品具备高耐压、低导通电阻、快速开关速度等特点,适用于直流-直流转换器、同步整流、电池充电器等多种应用领域。IXFH/IXFM系列提供了多种型号,如IXFH/IXFM 10N90、IXFH/IXFM 12N90和IXFH/IXFT 13N90,分别具有不同的额定电流和导通电阻,以满足不同应用需求。

    技术参数


    - 耐压能力:VDSS(栅极源极电压)最大值可达900V。
    - 连续栅极电压:VGS可承受±20V的连续电压,瞬态电压可承受±30V。
    - 漏极电流:在室温下,ID25(25℃时的额定漏极电流)分别为10A(IXFH/IXFM 10N90)、12A(IXFH/IXFM 12N90)和13A(IXFH/IXFT 13N90)。脉冲电流分别为40A、48A和52A。
    - 热阻抗:RthJC(结到壳的热阻)分别为0.42K/W和0.25K/W。
    - 二极管特征:正向电流IS(25℃时)最大值分别为10A(IXFH/IXFM 10N90)、12A(IXFH/IXFM 12N90)和13A(IXFH/IXFT 13N90)。
    - 其他电气特性:支持的其他电气特性还包括输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向转移电容(Crss)、栅极充电量(Qg)等,这些特性均符合高可靠性标准。

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供TO-247 AD和TO-204 AA两种封装形式,便于安装和集成。
    - 低导通电阻:采用HDMOSTM工艺制造,确保低导通电阻,提高能效。
    - 坚固耐用:使用坚固的多晶硅门控单元结构,确保长期稳定性和可靠性。
    - 快速恢复二极管:具备快速恢复二极管,降低开关损耗。
    - 易于驱动和保护:低封装电感,便于驱动和保护。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电器等领域。例如,在电池充电器中,使用该MOSFET可以显著减少充电时间,提高效率。此外,在开关电源和变频器中,利用其高速开关特性可以有效减少电磁干扰。
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热管理,确保MOSFET在安全温度范围内运行。
    - 选择合适的驱动电路以充分发挥其高速开关特性。
    - 配合外部电路进行过流和过热保护,确保长时间稳定工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET与大多数标准驱动电路和控制系统兼容,方便集成到现有系统中。
    - 技术支持:IXYS公司提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理过热问题?
    解决方法:使用散热片或风扇加强散热,并保证良好的通风条件。

    - 问题2:如何提高能效?
    解决方法:优化驱动电路,确保MOSFET在低损耗状态下工作。

    总结和推荐


    IXYS HiPerFETTM MOSFET凭借其高性能、高可靠性和广泛应用范围,在现代电力电子系统中表现出色。推荐在需要高效率和高速度的应用场景中使用。IXYS公司完善的售后和技术支持也使得该产品成为用户的首选。

IXFH12N90参数

参数
栅极电荷 155nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 12A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.2nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ@ 6A,10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 900V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@4mA
最大功率耗散 300W(Tc)
通道数量 1
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH12N90厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH12N90数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH12N90 IXFH12N90数据手册

IXFH12N90封装设计

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