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IXFH72N30X3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 390W(Tc) 20V 4.5V@1.5mA 82nC@ 10 V 1个N沟道 300V 19mΩ@ 36A,10V 72A 5.4nF@25V TO-247 通孔安装
供应商型号: IXFH72N30X3
供应商: 国内现货
标准整包数: 450
IXYS 场效应管(MOSFET) IXFH72N30X3

IXFH72N30X3概述

    高性能功率 MOSFET:IXFP72N30X3、IXFQ72N30X3 和 IXFH72N30X3

    1. 产品简介


    IXFP72N30X3、IXFQ72N30X3 和 IXFH72N30X3 是由 IXYS 公司生产的高性能 N 沟道增强模式 MOSFET。这些 MOSFET 具有低导通电阻(RDS(on))和高雪崩耐受能力,广泛应用于各种电源转换和电机控制应用中。产品型号包括 IXFP(TO-220AB 封装)、IXFQ(TO-3P 封装)和 IXFH(TO-247 封装),为不同的应用需求提供了多种选择。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS):300V
    - 最大漏极电流 (ID25):72A
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):19mΩ
    - 栅源电压 (VGSS):连续±20V,瞬时±30V
    - 最大重复脉冲电流 (ISM):288A
    - 栅输入电阻 (RGi):1.7Ω
    - 输入电容 (Ciss):5400pF
    - 输出电容 (Coss):800pF
    - 反向传输电容 (Crss):2pF
    - 热阻 (RthJC):0.32°C/W(TO-220)、0.25°C/W(TO-247 和 TO-3P)
    - 封装重量:TO-220(3.0g)、TO-3P(5.5g)、TO-247(6.0g)

    3. 产品特点和优势


    - 高功率密度:低导通电阻和快速开关时间,使其适合高效率的电源转换应用。
    - 易于安装:标准封装设计简化了装配过程,降低了制造成本。
    - 空间节省:紧凑的封装设计有助于减小整体电路板尺寸。
    - 雪崩耐受:能够在极端条件下保持稳定的性能,提高系统的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关模式和共振模式电源供应器:适用于需要高效率和低损耗的应用。
    - 直流-直流转换器:快速的开关时间和低导通电阻可以显著降低功耗。
    - 电力因数校正 (PFC) 电路:在高频环境下表现出色,有效提升功率因数。
    - 交流和直流电机驱动:强大的驱动能力和稳定的输出特性使其成为理想选择。
    - 机器人和伺服控制系统:可靠的性能和紧凑的封装,提高了系统的灵活性和响应速度。

    5. 兼容性和支持


    这些 MOSFET 具有广泛的兼容性,可以轻松与其他标准电子元件集成。IXYS 公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够高效利用这些器件进行设计和开发。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:栅极电荷过高如何处理?
    - A: 减少栅极驱动电压或增加外部栅极电阻。
    - Q:导通电阻不稳定怎么办?
    - A: 确保电路板和散热设计满足要求,同时检查是否存在过热现象。
    - Q:反向恢复时间较长如何优化?
    - A: 考虑采用具有更优反向恢复特性的肖特基二极管或其他快速恢复二极管。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXFP72N30X3、IXFQ72N30X3 和 IXFH72N30X3 作为高性能功率 MOSFET,在多种应用中展示了卓越的性能和稳定性。其独特的特点和优势使其成为电源转换、电机驱动和控制等领域不可或缺的选择。鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐这些产品用于各种高效率的电力转换和控制应用。

IXFH72N30X3参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1.5mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.4nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 390W(Tc)
Id-连续漏极电流 72A
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 82nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 300V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 19mΩ@ 36A,10V
通道数量 -
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFH72N30X3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFH72N30X3数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXFH72N30X3 IXFH72N30X3数据手册

IXFH72N30X3封装设计

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