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VUM33-05N

产品分类: 整流二极管/整流桥
厂牌: IXYS
产品描述: 600V 1.5mA 54A 独立式withbuilt-indiode 底座安装
供应商型号: ZT-VUM33-05N
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 整流二极管/整流桥 VUM33-05N

VUM33-05N概述

    # VUM 33-05N MOSFET Boost Diode Module 技术手册

    产品简介


    VUM 33-05N 是一款集成式功率因数校正模块,主要用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电池充电器和逆变器等应用中的功率因数预调节。该模块结合了功率MOSFET和超快恢复二极管两种功能,具有紧凑的DCB陶瓷基板封装和焊盘设计,适用于印刷电路板(PCB)安装。此外,它还提供高隔离电压、低RDS(on) 和低封装电感,以实现高速开关操作。

    技术参数


    一般规格
    - 峰值漏源电压(VDSS):500V
    - 最大持续栅极电压(VGS):±20V
    - 最大直流电流(ID):47A
    - 脉冲耐受电流(IDM):130A
    - 额定结温(TVJ):-40°C 至 +150°C
    - 隔离电压(VISOL):3000VAC/1分钟
    功率MOSFET规格
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):0.12Ω
    - 最大连续漏极电流(ID):47A
    - 峰值反向恢复电流(IRM):最大11A
    - 最大脉冲工作电压(VRRM):600V
    - 栅极电阻(RGint):1.5Ω
    - 典型阈值电压(VGS(th)):2V 至 5V
    - 门极漏电流(IGSS):±500nA
    - 最大功耗(PD):310W(TS=85°C)
    超快恢复二极管规格
    - 反向恢复峰值电流(IRM):最大11A
    - 最大重复反向电压(VRRM):1200V
    - 最大浪涌电流(ISM):300A
    - 正向压降(VF):最大1.5V
    - 最大漏电流(IR):7mA(TVJ=125°C)

    产品特点和优势


    VUM 33-05N 的显著特点是集成了功率MOSFET 和超快恢复二极管,可同时满足高速开关和高效率的要求。这使得它能够在单个封装内实现三种功能,输出功率高达8kW。该模块无需外部隔离,易于安装且适合波峰焊接,从而提高了生产效率。此外,其高热循环能力和与各种控制器IC的兼容性使其在市场上具有很高的竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    VUM 33-05N 主要应用于电源系统中的功率因数预调节。例如,在SMPS 中用于Boost拓扑结构作为整流桥,或在焊接设备的电源供应中使用。
    使用建议
    1. 在高温环境中使用时,确保散热措施到位,以防止过热导致损坏。
    2. 在安装时,遵循正确的扭矩要求(螺丝拧紧力矩为2.5Nm),以保证良好的电气连接和机械稳定性。
    3. 选择适当的散热器,以适应预期的功率输出和工作条件,确保最佳性能。

    兼容性和支持


    VUM 33-05N 具有良好的兼容性,可以方便地与多种控制器IC配合使用。制造商IXYS 提供了详细的技术支持和维护服务,包括使用手册、在线资源和技术支持热线,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. 过热
    - 解决方法:增加散热器或改善通风条件,降低环境温度。
    2. 噪音问题
    - 解决方法:检查接地和屏蔽措施,确保信号完整性和减少电磁干扰。
    3. 电流限制
    - 解决方法:调整电路中的限流电阻,确保电流不超过额定值。

    总结和推荐


    综上所述,VUM 33-05N 是一款高性能、多功能的功率因数校正模块,特别适用于需要高效率、高速开关和高可靠性的应用场合。其出色的特性和广泛的应用范围使其成为许多电力电子系统的理想选择。强烈推荐使用这款模块,尤其是在对空间有限制且需要高性能的产品设计中。

VUM33-05N参数

参数
正向浪涌电流 -
配置 独立式withbuilt-indiode
If - 正向电流 54A
Ir - 反向电流 1.5mA
Vr-反向电压 600V
反向恢复时间 -
安装方式 底座安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 盒装,散装

VUM33-05N厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

VUM33-05N数据手册

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IXYS 整流二极管/整流桥 IXYS VUM33-05N VUM33-05N数据手册

VUM33-05N封装设计

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