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IXTP200N055T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 360W(Tc) 20V 4V@ 250µA 109nC@ 10 V 1个N沟道 55V 4.2mΩ@ 50A,10V 200A 6.8nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.66mm*4.83mm*9.15mm
供应商型号: ZT-IXTP200N055T2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTP200N055T2

IXTP200N055T2概述


    产品简介


    IXTA200N055T2 和 IXTP200N055T2 是由IXYS公司生产的 N-Channel 增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这些器件专为高电流处理能力和出色的热性能而设计,广泛应用于汽车发动机控制、同步降压转换器、直流/直流转换器以及其他高电流开关应用中。它们具有55V的最大电压额定值,且在175°C的工作温度下依然表现出色,这使得它们成为电力管理和分布式电源架构的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏极-源极击穿电压 (VDSS) | - | 55 V | 55 V |
    | 漏极电流 (ID, TC = 25°C) | - | 200 A | - |
    | 门极-源极电压 (VGS, 暂态) | ± 20 V | - | ± 20 V |
    | 热阻 (RthJC) | - | 0.42 °C/W | - |
    | 源漏二极管最大重复脉冲电流 (ISM) | - | 600 A | - |
    | 输出电容 (Coss) | - | 1026 pF | - |
    | 阻抗 (RDS(on), VGS=10V, ID=50A) | 3.3 mΩ | 4.2 mΩ | - |

    产品特点和优势


    IXTA200N055T2 和 IXTP200N055T2 具有多个独特功能和优势:
    - 国际标准封装:适用于多种应用场景。
    - 无钳位感性开关额定值:确保了优异的抗浪涌能力。
    - 低封装电感:提高切换效率。
    - 175°C 工作温度:适用于高温环境。
    - 高电流处理能力:满足高负载需求。
    - ROHS 合规:环保标准。
    - 高性能沟槽技术:带来极低的 RDS(on)

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 广泛应用于多种场合,例如汽车发动机控制、笔记本电脑系统电源管理以及通用点负载应用。在具体使用时,应考虑以下几点:
    - 在高电流应用中,需要确保适当的散热措施以避免过热。
    - 根据应用需求选择合适的门极驱动电阻,以优化开关时间。

    兼容性和支持


    IXTA200N055T2 和 IXTP200N055T2 支持标准的TO-263和TO-220封装,便于集成到各种电路板中。IXYS公司提供全面的技术支持和维护服务,帮助用户更好地理解和使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳的门极驱动电阻?
    - 解决方案:可以通过调整门极电阻来平衡开关时间和损耗,一般建议参考数据手册中的典型值进行设置。
    - 问题:在高温环境下运行是否会降低使用寿命?
    - 解决方案:使用时应注意散热设计,如采用散热片或散热风扇,以保证器件在安全温度范围内运行。

    总结和推荐


    IXTA200N055T2 和 IXTP200N055T2 在高电流处理能力、低 RDS(on)和高可靠性方面表现出色,是高性能应用的理想选择。对于需要高电流处理能力和优良热管理的应用场景,强烈推荐使用这些 MOSFET。用户在使用时应注意合理的散热设计和门极驱动配置,以充分发挥其潜力。

IXTP200N055T2参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 50A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.8nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 109nC@ 10 V
最大功率耗散 360W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 200A
Vds-漏源极击穿电压 55V
长*宽*高 10.66mm*4.83mm*9.15mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTP200N055T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTP200N055T2数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTP200N055T2 IXTP200N055T2数据手册

IXTP200N055T2封装设计

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