处理中...

首页  >  产品百科  >  IXGH32N120A3

IXGH32N120A3

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 独立式 2.35V@ 15V,32A 75A TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: IXGH32N120A3-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXGH32N120A3

IXGH32N120A3概述


    产品简介


    IXGH32N120A3 和 IXGT32N120A3 是由 IXYS Corporation 生产的 GenX3TM 1200V IGBT(绝缘栅双极型晶体管)。这些IGBT设计用于高频率开关应用,最高可达3kHz。它们具备优化的低导通损耗,并符合国际标准封装,适用于多种电力转换和控制应用。

    技术参数


    - 基本电气特性
    - 最大集电极-发射极电压 (VCES): 1200V
    - 最大栅极-发射极电压 (VGES): ±20V
    - 最大瞬态栅极电压 (VGEM): ±30V
    - 最大集电极电流 (IC110): 32A @ TC=110°C
    - 最大集电极电流 (IC25): 75A @ TC=25°C
    - 集电极脉冲电流 (ICM): 230A @ TC=25°C
    - 转换能量 (EAS): 120mJ @ TC=25°C
    - 功率 (PC): 300W @ TC=25°C
    - 特性值
    - 击穿电压 (BVCES): 1200V @ IC=250μA, VGE=0V
    - 门限电压 (VGE(th)): 3.0V 至 5.0V @ IC=250μA, VCE=VGE
    - 饱和电压 (VCE(sat)): 2.35V @ IC=400A, VGE=30V
    - 热特性
    - 结温范围 (TJ): -55°C 至 +150°C
    - 最高结温 (TJM): 150°C
    - 储存温度范围 (TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 最高焊接温度 (TSL): 300°C (持续10秒)
    - 封装尺寸
    - TO-247 封装:A: 4.7mm - 5.3mm, b: 1.0mm - 1.4mm
    - TO-268 封装:A: 2.2mm - 2.54mm, b1: 1.65mm - 2.13mm

    产品特点和优势


    - 高功率密度: 这些IGBT具有紧凑的设计,能够在有限的空间内实现更高的功率处理能力。
    - 低门驱动需求: 这减少了控制电路的复杂性和功耗,使得系统更高效。
    - 优化的低导通损耗: 适用于需要高频工作的应用,如电源逆变器、电机驱动等。
    - 国际标准封装: 便于集成到现有系统中,提高系统的可靠性和一致性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 逆变器:适用于光伏逆变器和风力发电逆变器。
    - 电机驱动:适合工业电机驱动和家用电器中的电机控制。
    - 不间断电源(UPS):提供稳定的电源输出,保障关键设备的正常运行。
    - 使用建议
    - 在高频率应用中,确保使用合适的门驱动电路以优化性能。
    - 确保良好的散热设计,以防止过热。
    - 使用合适的外部电阻 (RG) 来调整开关时间和降低损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性
    - 这些IGBT与各种电源转换设备兼容,可应用于不同类型的系统中。
    - 支持
    - IXYS 提供全面的技术支持和保修服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装这些IGBT?
    - 解决办法:遵循制造商的安装指南,确保使用正确的扭矩拧紧螺丝,避免损坏引脚。
    2. 问题:如何选择合适的门驱动电压?
    - 解决办法:根据具体应用要求选择门驱动电压,通常推荐使用15V。
    3. 问题:如何优化系统散热?
    - 解决办法:采用高效的散热片或风扇,确保良好的空气流通,减少IGBT的工作温度。

    总结和推荐


    IXGH32N120A3 和 IXGT32N120A3 是高性能的1200V IGBT,适用于高频率开关应用。其高功率密度、低门驱动需求和优化的低导通损耗使其成为电源逆变器、电机驱动和不间断电源等领域的理想选择。对于需要高性能和高可靠性的应用,强烈推荐使用这些IGBT。

IXGH32N120A3参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.35V@ 15V,32A
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 独立式
集电极电流 75A
最大功率耗散 -
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXGH32N120A3厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXGH32N120A3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS IGBT单管 IXYS IXGH32N120A3 IXGH32N120A3数据手册

IXGH32N120A3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 12.8856 ¥ 107.8364
30+ $ 7.7612 ¥ 64.9513
120+ $ 6.6389 ¥ 55.5595
510+ $ 6.3306 ¥ 52.9793
库存: 351
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 107.83
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2MBI100VA-060-50 ¥ 0
2MBI150VA-060-50 ¥ 211.875
2MBI200VA-060-50 ¥ 240.125
5302DG-AA3-R ¥ 0.2782
AOK20B135E1 ¥ 0
AOK30B120D2 ¥ 25.4542
AOK30B60D1 ¥ 18.252
AOK40B120H1 ¥ 20.7581
AOK60B60D1 ¥ 30.2728
AOT10B60D ¥ 9.5665