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IXGH35N120C

产品分类: IGBT单管
厂牌: IXYS
产品描述: 300W 独立式 4V@ 15V,35A 70A TO-247AD 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: LDL-IXGH35N120C
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT单管 IXGH35N120C

IXGH35N120C概述

    # IXYS Lightspeed 系列 IGBT 技术手册解析

    1. 产品简介


    IXYS 的 Lightspeed 系列 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)以其卓越的性能和广泛的应用范围受到市场的高度认可。本系列产品提供了高电压等级(1200V)、大电流能力(最大70A),并以低开关损耗和易于驱动著称。主要适用于工业领域的电机控制、电源转换以及其他功率电子应用。IXGH 和 IXGT 两种型号分别采用了 TO-247 AD 和 TO-268AA(D3 PAK)封装形式,为用户提供了灵活的安装选择。
    主要功能
    - 高压与大电流处理能力。
    - 具备出色的开关速度和低导通压降(VCE(sat)),适合高频应用。
    - 支持表面贴装及传统螺钉固定安装方式。
    应用领域
    - 交流电机速度控制。
    - 直流伺服电机与机器人驱动系统。
    - 直流斩波电路。
    - 不间断电源(UPS)。
    - 开关模式和共振模式电源供应器。

    2. 技术参数


    以下是 IXGH/IXGT 35N120C 的关键技术指标:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 集电极-发射极电压 | VCES | - | 1200 V | - |
    | 集电极电流@TC=25°C | IC25 | - | 70 A | - |
    | 集电极电流@TC=90°C | IC90 | - | 35 A | - |
    | 开启电压 | VGE(th) | 2.5 V | 5 V | - |
    | 导通饱和压降 | VCE(sat) | - | 4.0 V | - |
    | 栅极输入电容 | Cies | - | 4620 pF | - |
    | 栅射输出电容 | Coes | - | 260 pF | - |
    | 栅极触发电荷 | Qg | - | 28 nC | - |
    | 开关时间延迟 | td(on) | 50 ns | - | - |
    | 关断时间延迟 | td(off) | 150 ns | - | - |
    其他性能还包括:热阻抗 RthJC = 0.42 K/W;最大结温 TJ = 150°C;存储温度范围 -55°C 至 +150°C。

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 遵循国际标准封装设计,提供 JEDEC TO-247 AD 和 TO-268 表面安装选项。
    - 极低的开关损耗使得它特别适合高频运行环境。
    - MOS门极驱动简单,便于集成到现有电路中。
    优势
    - 高功率密度设计,非常适合现代紧凑型电子产品需求。
    - 支持表面安装,提升装配效率。
    - 单颗螺丝隔离安装孔简化机械结构设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    案例一:UPS不间断电源
    在UPS系统中,IGBT 被用于逆变环节,确保负载供电稳定。由于该器件具备快速响应特性和高耐压能力,在动态负载条件下表现出色。
    案例二:DC-DC 转换器
    作为主控元件,IXGH/IXGT 可实现高效的直流电能传输。例如,在新能源汽车充电桩设计中,其高效节能的特性显著降低了整体功耗。
    使用建议
    - 建议在 VGE 电压设置为 15V 左右以获得最佳开关性能。
    - 注意散热管理,确保良好的 PCB 设计,避免过热现象发生。
    - 考虑外围元件选型时,需匹配合适的栅极电阻值以优化开关特性。

    5. 兼容性和支持


    该系列产品与多种主流电子元器件具有良好的兼容性,能够无缝融入现有系统架构。此外,IXYS 提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决开发过程中遇到的各种问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关时间异常延长 | 检查栅极电阻是否过高,调整至推荐范围。 |
    | 过早损坏 | 确保 PCB 设计符合散热要求,避免高温环境。 |
    | 驱动信号不稳定 | 检查信号源阻抗是否适配,建议使用专用驱动芯片。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,IXYS Lightspeed 系列 IGBT 凭借其优异的性能、广泛的适用性及可靠的支持体系,在功率电子领域占据了一席之地。无论是从技术参数还是实际应用表现来看,该产品都值得高度评价。我们强烈推荐此款产品给需要高性能功率半导体解决方案的用户。

IXGH35N120C参数

参数
最大功率耗散 300W
VCEO-集电极-发射极最大电压 4V@ 15V,35A
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 独立式
集电极电流 70A
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IXGH35N120C厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXGH35N120C数据手册

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IXYS IGBT单管 IXYS IXGH35N120C IXGH35N120C数据手册

IXGH35N120C封装设计

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