处理中...

首页  >  产品百科  >  IXTA170N075T2

IXTA170N075T2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 360W(Tc) 20V 4V@ 250µA 109nC@ 10V 1个N沟道 75V 5.4mΩ@ 50A,10V 170A 6.86nF@25V TO-263-3 贴片安装 10.41mm*9.65mm*4.83mm
供应商型号: IXTA170N075T2
供应商: 国内现货
标准整包数: 1000
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA170N075T2

IXTA170N075T2概述


    产品简介


    IXTA170N075T2 和 IXTP170N075T2 功率 MOSFET
    IXTA170N075T2 和 IXTP170N075T2 是由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强模式功率 MOSFET,专为高电流处理能力和高可靠性设计。这些器件适用于多种应用,包括同步降压转换器、高电流开关电源、电池供电电动机、谐振模式电源供应、电子镇流器应用以及 Class D 音频放大器等。它们具备国际标准封装,具有极低的导通电阻(RDS(on))和高工作温度范围(-55°C 到 +175°C),并且符合 ROHS 标准。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS(漏源击穿电压):75 V
    - VDGR(栅漏击穿电压):75 V
    - ID(连续漏极电流):170 A
    - IRRMS(峰值电流限值):75 A
    - EAS(雪崩能量):600 mJ
    - PD(耗散功率):360 W
    - TJ(工作结温):-55 ... +175 °C
    - TL(焊接温度):300 °C
    - Tsold(塑料体温度):260 °C
    - 特征值:
    - BVDSS(漏源击穿电压):75 V
    - VGS(th)(门限电压):2.0 至 4.0 V
    - RDS(on)(导通电阻):5.4 mΩ (VGS = 10V, ID = 50A)
    - Ciss(输入电容):6860 pF
    - Coss(输出电容):810 pF
    - Crss(反向传输电容):148 pF
    - Qg(总栅电荷):109 nC
    - RthJC(热阻):0.42 °C/W

    产品特点和优势


    1. 易于安装:标准封装便于组装,适合大规模生产。
    2. 节省空间:高功率密度使得器件体积小巧,适合紧凑型设计。
    3. 高性能:采用 Trench Technology 技术,确保极低的 RDS(on),提高能效。
    4. 高温适应能力:能够承受高达 175°C 的工作温度,适应严苛环境。
    5. 高可靠性:具备无钳位感性开关保护(UIS)评级,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 同步降压转换器:适用于高效率的电源转换,特别是在电池供电设备中。
    - 高电流开关电源:适用于需要高电流输出的应用,如数据中心和电信基础设施。
    - 电池供电电动机:由于其低导通电阻和高温适应能力,非常适合电动工具和移动设备。
    - 谐振模式电源供应:由于其快速开关时间和低损耗,可提高系统效率。
    - 电子镇流器应用:适用于照明系统的高效驱动。
    - Class D 音频放大器:能够在音频放大器中实现高效的功率转换。
    使用建议:
    - 在选择驱动电阻时,建议使用 3.3Ω,以确保快速开关时间和较低的开关损耗。
    - 在高电流应用中,注意散热设计,以防止过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与标准电源模块和控制器兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持和维护:IXYS 提供全面的技术支持,包括设计咨询、故障排除和售后维修服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问:在高电流应用中,导通电阻是否会显著增加?
    - 答:会。建议在高电流应用中使用更低的 VGS 值,以减小导通电阻。
    2. 问:如何避免高温导致的损坏?
    - 答:确保良好的散热设计,使用适当的散热片和风扇来降低工作温度。
    3. 问:如何减少开关损耗?
    - 答:通过优化驱动电阻和栅电荷来减少开关损耗。

    总结和推荐


    IXTA170N075T2 和 IXTP170N075T2 功率 MOSFET 是市场上的一款优秀产品,尤其适合高电流、高温环境下的应用。其优异的性能和可靠性使其成为同步降压转换器、高电流开关电源和其他类似应用的理想选择。我们强烈推荐这些器件用于需要高效率和高可靠性的应用场合。

IXTA170N075T2参数

参数
最大功率耗散 360W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 75V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 170A
Rds(On)-漏源导通电阻 5.4mΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
栅极电荷 109nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.86nF@25V
长*宽*高 10.41mm*9.65mm*4.83mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA170N075T2厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA170N075T2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA170N075T2 IXTA170N075T2数据手册

IXTA170N075T2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 21.9345
2000+ ¥ 21.1716
3000+ ¥ 20.7901
库存: 2050
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 21934.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504