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IXTH10P60

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 300W(Tc) 20V 5V@ 250µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 600V 1Ω@ 5A,10V 10A 4.7nF@25V TO-247 通孔安装 16.26mm*5.3mm*21.46mm
供应商型号: 3438411
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTH10P60

IXTH10P60概述


    产品简介


    IXTT10P60/IXTH10P60 Power MOSFETs
    IXXT10P60 和 IXTH10P60 是由 IXYS Corporation 生产的 P 沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这些 MOSFET 主要应用于高边开关、推挽放大器、直流斩波器和自动测试设备等领域。IXXT10P60 和 IXTH10P60 具备多种技术特点,能够在高电压和大电流环境下提供卓越的性能。

    技术参数


    以下是 IXTT10P60 和 IXTH10P60 的关键技术规格:
    - 额定电压 (VDSS):-600V
    - 连续漏极电流 (ID25):-10A
    - 导通电阻 (RDS(on)):≤ 1Ω
    - 最大栅源电压 (VGSS):±20V
    - 瞬态栅源电压 (VGSM):±30V
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):-40A
    - 最大耗散功率 (PD):300W
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 到 +150°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 热阻 (RthJC):0.42°C/W(TO-247 封装)
    - 热阻 (RthCS):0.21°C/W(TO-247 封装)

    产品特点和优势


    特点:
    - 国际标准封装
    - 低 RDS(on) (高密度金属氧化物半导体技术)
    - 坚固的多晶硅栅极单元结构
    - 反复雪崩耐受能力
    - 低寄生电感
    - 易于驱动和保护
    优势:
    - 安装方便
    - 节省空间
    - 高功率密度

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 高边开关
    - 推挽放大器
    - 直流斩波器
    - 自动测试设备
    使用建议:
    在使用 IXTT10P60 和 IXTH10P60 时,应确保负载电流不超过最大值,以避免损坏器件。在高功率应用中,应考虑使用散热片来提高热稳定性。此外,在电路设计中要注意合理布局,减小寄生电感的影响,以保证电路的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    IXTT10P60 和 IXTH10P60 与多种标准封装和接口兼容,适合集成到各种电子系统中。IXYS 提供详细的技术支持文档,包括安装指南、应用笔记和技术问答,以帮助用户解决实际应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 问题:如何测量导通电阻 (RDS(on))?
    解决方案:在 VGS = 10V,ID = -5A 的条件下测量。根据手册中的图表,导通电阻应在 1Ω 以下。
    2. 问题:如何确定安全工作区 (SOA)?
    解决方案:参考手册中的图表,确保在给定的工作温度下不超过最大允许的电流和电压。

    总结和推荐


    IXXT10P60 和 IXTH10P60 是高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,适用于高电压和大电流的应用场景。其主要优点包括低导通电阻、高功率密度和易于安装的特点。我们推荐这些 MOSFET 在需要高可靠性和高效率的应用中使用。通过合理的设计和使用建议,可以充分发挥其性能,为用户提供优质的解决方案。

IXTH10P60参数

参数
Id-连续漏极电流 10A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@25V
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@ 5A,10V
栅极电荷 160nC@ 10 V
长*宽*高 16.26mm*5.3mm*21.46mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTH10P60厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTH10P60数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTH10P60 IXTH10P60数据手册

IXTH10P60封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 74.1375
5+ ¥ 71.172
10+ ¥ 65.241
50+ ¥ 65.241
100+ ¥ 64.0548
250+ ¥ 64.0548
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