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IXTA28P065T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: IXYS
产品描述: 83mW(Tc) 15V 4.5V@ 250µA 46nC@ 10V 1个P沟道 65V 45mΩ@ 14A,10V 28A 2.03nF@25V TO-263-3 贴片安装
供应商型号: 747-IXTA28P065T
供应商: Mouser
标准整包数: 1
IXYS 场效应管(MOSFET) IXTA28P065T

IXTA28P065T概述


    产品简介


    IXYS IXTA28P065T 和 IXTP28P065T 功率 MOSFET
    IXTA28P065T 和 IXTP28P065T 是由 IXYS 公司生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET。这些器件适用于高电压和大电流的应用场合,具有出色的雪崩耐受能力。它们广泛应用于高压侧开关、推挽放大器、直流斩波器、自动测试设备、电流调节器以及电池充电器等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | VDSS(最大击穿电压) -65 V |
    | VDGR(栅源击穿电压) -65 V |
    | VGSS(栅极电压连续) ±15 V |
    | VGS(th)(栅极阈值电压) 2.5 V | 4.5 V |
    | RDS(on)(导通电阻) 45 mΩ
    | ID(连续漏极电流) -28 A |
    | IDM(脉冲漏极电流) -90 A |
    | ES(雪崩能量) 200 mJ
    | PD(功耗) 83 W |
    | TJ(结温范围) | -55°C +150°C |
    | TL(焊点温度) 300°C |

    产品特点和优势


    - 国际标准封装:提供标准的 TO-220 和 TO-263 封装。
    - 雪崩耐受能力:增强了电路的安全性和可靠性。
    - 扩展的额定工作区:提高了在极端条件下的耐用性。
    - 快速本征二极管:提供更高效的开关性能。
    - 低 RDS(on) 和 QG:降低了开关损耗和导通损耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 高压侧开关:如电动车电池管理系统中的开关。
    2. 推挽放大器:用于音频功率放大器中的高效转换。
    使用建议:
    1. 确保在安装时充分散热,以避免过热损坏。
    2. 使用合适的驱动电路以确保最佳开关速度和效率。
    3. 在设计电路时要考虑到器件的瞬态特性,如漏极电流和开关时间。

    兼容性和支持


    这些器件具有广泛的兼容性,可以与其他标准电子元器件配合使用。IXYS 公司提供了详尽的技术支持和维护服务,帮助用户解决可能遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热损坏。
    解决方案:增加散热片或采用外部冷却措施,确保结温不超过规定范围。
    2. 问题:开关时间不满足需求。
    解决方案:检查驱动电路的设置,调整栅极电阻以优化开关速度。
    3. 问题:漏电流过高。
    解决方案:重新检查安装工艺,确保没有短路或接触不良的情况。

    总结和推荐


    IXTA28P065T 和 IXTP28P065T 功率 MOSFET 具有高可靠性和高性能的特点,在高压侧开关和电池管理应用中表现出色。它们非常适合于需要高功率密度和紧凑设计的应用场合。鉴于其优秀的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐这些产品用于各种高压侧开关和电池管理相关的设计项目。

IXTA28P065T参数

参数
最大功率耗散 83mW(Tc)
FET类型 1个P沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 14A,10V
栅极电荷 46nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.03nF@25V
Id-连续漏极电流 28A
Vds-漏源极击穿电压 65V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 15V
配置 独立式
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IXTA28P065T厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXTA28P065T数据手册

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IXYS 场效应管(MOSFET) IXYS IXTA28P065T IXTA28P065T数据手册

IXTA28P065T封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.588 ¥ 30.3186
10+ $ 2.8175 ¥ 22.7727
50+ $ 2.2356 ¥ 18.8908
100+ $ 2.1816 ¥ 18.4345
250+ $ 1.8036 ¥ 15.2404
500+ $ 1.5012 ¥ 12.6851
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